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“흥행 성공”…서울 ‘새절역 두산위브 트레지움’, 1순위 평균 78.9대 1

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Wednesday, May 17, 2023, 16:05:18

121가구 모집에 9550명 청약 접수 집계
전용 59㎡ 일반타입에 3993명 몰려
우수한 입지여건·합리적 분양가 호평

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ올해 서울 6번째 청약 단지인 은평구 '새절역 두산위브 트레지움'이 1순위 청약에서 평균 78.9대 1의 경쟁률을 기록하며 전 타입 마감에 성공했습니다.

 

17일 한국부동산원 청약홈에 따르면, 지난 16일 진행된 '새절역 두산위브 트레지움' 1순위 일반 청약 결과 121가구 모집에 9550명의 청약 통장이 몰리며 평균 78.9대 1의 경쟁률을 올렸습니다.

 

이에 따라, 해당 단지는 지난 15일 특별공급(평균 경쟁률 27.5대 1)이 비교적 높은 경쟁률을 올린데 이어 일반공급에서도 수요자들의 청약통장이 집중되며 흥행에 성공했습니다. 이와 동시에 올해 분양을 진행한 서울 신규단지 중 두 번째로 높은 1순위 일반 청약 경쟁률을 기록했습니다.

 

올해 서울서 분양이 이뤄진 단지 중 가장 높은 1순위 평균 경쟁률은 지난 3월 서울 첫 분양 단지로 청약을 진행했던 '영등포자이 디그니티'로, 98가구 모집에 1만9478명이 접수하며 평균 198.8대 1의 경쟁률 수치를 기록한 바 있습니다.

 

전용 타입 별로 세분화할 경우 59㎡T(테라스) 타입이 1가구 모집에 494명이 청약을 접수하며 494대 1로 최고 경쟁률을 나타냈습니다. 59㎡ 일반 타입의 경우 20가구 모집에 3993명의 청약자를 내며 전용 타입 중 가장 많은 청약 통장이 몰린 동시에 199.7대 1의 높은 경쟁률을 기록했습니다. 

 

분양업계에 따르면, 해당 단지는 입지여건이 좋고 시세 대비 합리적인 분양가로 책정돼 수요자들의 관심을 받았습니다. 지하철 6호선 새절역이 단지 인근에 자리잡아 서울 주요 지역으로 접근성이 편리하다는 점과 더불어 디지털미디어시티, 초중고 등 교육시설이 가깝게 있어 직주근접성과 통학여건도 좋다는 것이 이점으로 꼽혔습니다.

 

분양가의 경우 ▲59㎡ 5억9820만원~6억7980만원 ▲59㎡T 7억1560만원 ▲76㎡ 6억9370만원~7억8830만원 ▲84㎡ 7억6060만원~8억8500만원 ▲84㎡T 9억5180만원~9억9340만원으로 책정됐습니다. 분양업계 관계자는 "입지여건이 우수한 브랜드 아파트를 합리적인 가격으로 내놓은 것이 실수요자들의 매수 심리를 끌어올린 주 요인으로 본다"고 말했습니다.

 

'새절역 두산위브 트레지움'은 두산건설이 서울시 은평구 신사1구역을 재건축해 공급되는 단지로 지하 2층~지상 18층, 6개 동, 전용면적 59~84㎡ 총 424가구 규모로 지어집니다. 당첨자 발표는 오는 23일, 정당계약은 6월 5일부터 7일까지입니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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