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제네시스, ‘2023 G70·G70 슈팅 브레이크’ 출시…성능 강화

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Thursday, May 18, 2023, 17:05:06

주행 및 제동 성능·편의성·상품성 한층 강화
2.5 터보엔진 기본 사양..판매가 4315만원부터

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ현대자동차[005380]의 프리미엄 브랜드인 제네시스는 G70의 상품성 개선 모델인 '2023 G70·G70 슈팅 브레이크'를 오는 19일 출시하고 본격 판매에 나선다고 18일 밝혔습니다.

 

제네시스에 따르면, 2023 G70·G70 슈팅 브레이크는 ▲2.5 터보 신규 엔진과 고성능 브렘보 브레이크 기본화 ▲디테일을 더해 고급감을 강조한 내·외장 ▲고객 편의 사양 기본화 및 신규 사양 추가 등으로 주행 및 제동 성능과 편의성을 강화한 것이 특징입니다.

 

라인업의 경우 가솔린 2.5 터보 엔진을 신규 추가하고 이를 기본 사양으로 운영하기로 했습니다. 이에 따라, G70의 라인업은 가솔린 2.5 터보와 기존 가솔린 3.3 터보 2개의 라인업으로, G70 슈팅 브레이크는 가솔린 2.5 터보 단일 엔진으로 판매됩니다.

 

기본 사양인 가솔린 2.5 터보 엔진은 기존 2.0 터보 엔진 모델 대비 50마력 이상 향상된 최고출력 304마력, 최대토크 43.0kgf·m의 성능을 갖췄습니다. 고성능 브렘보 브레이크도 기본 적용해 강력한 제동 성능을 확보하는 데 주력했습니다.

 

승차감을 실시간으로 최적화하는 전자제어 서스펜션과 한계 주행에 특화된 주행 모드인 '스포츠+ 모드' 등의 드라이빙 시스템도 탑재해 민첩하고 다이내믹한 주행 경험을 제공한다는 목표입니다.

 

외관 디자인은 정밀하게 새긴 반복적 장식 문양인 '기요셰' 패턴 을 각인한 신규 제네시스 엠블럼을 적용해 럭셔리 세단의 이미지를 부각했습니다. 이와 동시에 ▲18인치 리얼 스틸 그레이 휠 ▲19인치 다크 그레이 매트 휠 등 신규 디자인의 휠 ▲바트나 그레이 ▲카와 블루 등 신규 외장 컬러를 추가해 스포티하고 럭셔리한 이미지를 강화했습니다.

 

실내의 경우 고급감과 운전자 편의 향상에 초점을 맞추고 설계됐습니다. 터치식 공조디스플레이, 프레임리스 룸미러, 신규 엠블럼과 가죽을 적용한 스티어링휠을 적용해 고급감을 강조했으며, 멀티펑션 스위치, 도어&콘솔 가니쉬 패턴, 에어벤트, 컵홀더, 스마트 키 등에 기능성 디자인과 디테일을 더했습니다.

 

이와 더불어, 쾌적하고 편안한 운전 경험을 제공하고자 신규 사양을 추가로 탑재했습니다. 통풍시트와 뒷좌석 열선시트를 기본화해 상품성을 강화했으며, 고성능 항균&콤비 필터, C타입 USB 충전 단자, 지능형 속도 제한 보조(ISLA)를 새로운 기본 사양으로 선보였습니다.

 

2023 G70의 판매 가격은 ▲가솔린 2.5 터보 4315만원 ▲가솔린 3.3터보 4805만원 ▲슈팅 브레이크 가솔린 2.5터보 4511만원으로 책정됐습니다.

 

제네시스 관계자는 "2023 G70·G70 슈팅 브레이크는 가솔린 2.5 터보 엔진을 기본으로 탑재해 300마력 이상의 한 차원 높은 동력성능을 갖춘 것이 특징"이라며 "완성도 높은 제네시스 엔트리 모델로서 다이내믹하면서 럭셔리한 운전 경험을 제공할 것"이라고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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