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‘라임사태’ 핵심인물 김봉현 회장·이종필 부사장 검거

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Friday, April 24, 2020, 08:04:51

1조 6000억 피해 유발한 몸통으로 지목

 

인더뉴스 신재철 기자ㅣ펀드 환매 중단 등으로 투자자들에게 1조 6000억원 규모의 피해를 입힌 ‘라임사태’ 핵심 피의자 김봉현 스타모빌리티 회장과 이종필 전 라임 부사장이 경찰에 붙잡혔습니다.

 

경기남부지방경찰청 지능범죄수사대는 지난 23일 오후 9시께 서울 성북구의 한 거리에서 김 회장을 체포했습니다.

 

경찰은 김 회장을 추궁해 인근 단독주택에 은신해 있던 이 전 부사장도 붙잡았습니다. 두 사람은 함께 도피 중이었던 것으로 알려졌습니다.

 

이 전 부사장은 지난해 11월, 김 회장은 지난해 12월 영장실질심사를 앞두고 도주해 이날까지 도피 행각을 벌여왔습니다. 스타모빌리티 실소유주인 김 회장은 ‘라임의 돈줄’역할을, 이 전 부사장은 라임 펀드를 기획하고 운용하는 역할을 맡는 등 이번 사건의 몸통으로 지목된 인물들입니다.

 

이들 핵심 피의자들이 체포되면서 라임사태에 대한 수사가 속도를 낼 것으로 예상됩니다.

 

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신재철 기자 jc@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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