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[빌사남TV] “절세를 위한 법인 빌딩 투자는 끝났다”

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Friday, August 07, 2020, 17:08:23

[빌사남TV] 세법 개정이 빌딩 투자에 미치는 영향 편

▶ 빌사남 김윤수 대표(이하 빌사남) : 안녕하세요, 빌사남TV입니다. 오늘은 회계법인 마일스톤의 양제경 회계사님과 7·22 세법 개정이 빌딩 매입에 미치는 영향에 대해 알아보겠습니다.

 

▷ 양제경 회계사 : 그동안은 빌딩 거래 시 법인이 절세에 유리했어요. 법인세율과 소득세율의 차이 때문이지요. 같은 세금도 개인은 소득세 10억원을 낼걸 법인은 법인세 3억밖에 안냈어요. 그래서 저는 누구를 만나든 빌딩을 사려면 법인으로 하라고 얘기해왔고요.

 

그런데 앞으로는 개인과 법인이 똑같습니다. 먼저 개인소득세는 10억 초과 시 최고세율을 신설했고 지방소득세까지 49.5%의 세율이 적용됩니다. 건물 매매 시 기대 시세차익이 보통 10억은 넘잖아요? 사실상 모든 건물 매매 시 개정된 세법의 영향을 받게 될 거에요.

 

법인도 힘들어졌어요. 법인은 ‘개인유사법인’이라는 개념이 도입됐죠. 개인유사법인이 부동산 거래로 초과 유보소득을 얻을 경우 주주에게 배당한 것으로 간주하고 배당소득세가 적용됩니다.

 

가령 빌딩 거래로 시세차익이 25억원 발생했다면? 법인세는 5억원 정도 내고 남는 20억원 중 절반인 10억에 대해 배당소득세를 적용해 과세하겠다는 거예요. 그럼 4억6000만원정도 되니 25억 벌어서 총 9억6000만원은 세금으로 내는 거죠. 법인세율이 실질적으로 오르는 효과라고 봅니다.

 

빌사남 : 바뀐 내용으로 시뮬레이션을 돌려볼까요?

 

양제경 회계사 : 시가 50억원짜리 꼬마빌딩을 7년 보유했다가 30억원 시세차익을 남기고 매도할 경우, 개인 거래나 법인 거래나 세금차이가 약 2000만원밖에 차이가 안 나게 됩니다. 예전에는 이런 경우 5억원씩 차이가 났어요.

 

그리고 건물가액이 얼마든 법인과 개인의 차이가 별로 없다고 말하고 싶어요. “저희 건물은 30억짜리밖에 안되는데 법인으로 해도 돼요?” “저희 건물은 100억짜리인데 이것도 절세 효과가 많이 없나요?”라고 많이 물어보시는데, 개인으로 거래하나 법인으로 거래하나 똑같습니다.

 

부부 공동명의로 할 때도 한 7000만원 차이. 1인 법인이나 부부공동명의와도 한 1억원 정도 차이가 납니다.

 

빌사남 : 제일 좋은 건 부부 공동명의네요?

 

양제경 회계사 : 지금 세액으로만 놓고 보면 개인으로 지분을 많이 쪼갠 것. 자녀들을 넣거나. 근데 자녀가 들어가기 시작하면 취득 자금이 없는 경우가 대부분이라 증여세를 한 번 고려해야하죠.

 

빌사남 : 제일 안 좋은 건 1인 법인인가요?

 

양제경 회계사 : 시가 50억원 기준, 시세차익 30억원일 때 최대 1억원까지 세금 차이가 날 수 있어요. 근데 사실 큰 차이는 아닌 게 취득, 보유, 처분까지 7년 동안의 총 세금이 그정도라는 거거든요. 7년동안 1억이면 한 달에 100만원 꼴이네요. 무시할 수준의 차이는 아니지만 법인·개인 결정을 가름할 정도의 차이는 아니라고 봅니다.

 

제 생각엔 이제는 세금이 판단 기준이 되면 안 될 것 같아요. 세금 외적인 요소를 고려해야 하는데요. 가장 첫 번째가 대출. 제 경험상 법인은 대출이 더 많이 나와요. 그러나 내가 살 건물이 개인으로 대출이 더 잘 나온다면 개인으로 가는 거고요.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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