인더뉴스 이진솔 기자 | 삼성전자가 업계최초로 극자외선(EUV) 공정 기반 시스템반도체에 3차원 적층 기술을 적용했습니다. 시스템반도체 및 파운드리(반도체수탁생산) 후공정 분야에서 첨단 기술 경쟁력을 확보한 것으로 평가됩니다.
삼성전자는 7나노 EUV 시스템반도체에 3차원 적층 패키지 기술인 ‘X-Cube(eXtended-Cube)’를 적용한 테스트칩 생산에 성공했다고 13일 밝혔습니다.
X-Cube는 전공정을 마친 웨이퍼 상태의 여러 칩을 위로 적층해 반도체 하나로 만드는 기술입니다. 시스템반도체는 로직(연산) 부분과 캐시메모리(Cache memory) 역할을 하는 정적램(SRAM) 부분을 칩 하나에 평면으로 나란히 배치해 설계합니다. 삼성전자가 집적 기술에 집중하는 이유입니다.
X-cube는 로직과 SRAM을 단독으로 설계 및 생산해 위로 적층하는 방식입니다. 전체 칩 면적을 줄이면서 고용량 메모리 솔루션을 장착할 수 있어 설계 자유도를 높일 수 있다는 설명입니다.
또한 위아래로 놓인 칩에 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술 ‘실리콘관통전극(TSV)’을 적용할 수 있다는 것도 강점입니다. 시스템반도체 연산 속도와 전력 효율을 높이는 기술로 꼽힙니다.
삼성전자는 “이 기술은 슈퍼컴퓨터·인공지능·5세대(5G) 이동통신 등 고성능 시스템반도체를 요구하는 분야에서 핵심 기술로 쓰일 것”이라며 “스마트폰과 웨어러블 기기의 경쟁력도 높일 수 있을 것으로 예상된다”고 했습니다.
삼성전자는 X-Cube 설계방법론(Design Methodology)과 설계툴(Design Flow)을 제공해 반도체 팹리스 기업들이 EUV 기술 기반 5, 7나노 공정 칩 개발에 착수할 수 있도록 지원합니다.
또한 삼성전자의 양산 인프라를 이용할 수 있기 때문에 개발 오류를 빠르게 확인하며 칩 개발 기간을 줄일 수 있다고 회사 측은 설명했습니다.
강문수 삼성전자 파운드리사업부 마켓전략팀 전무는 “EUV 장비가 적용된 첨단 공정에서도 TSV 기술을 안정적으로 구현해냈다"며 "삼성전자는 반도체 성능 한계 극복을 위한 기술을 지속 혁신해 나가겠다”고 말했습니다.
