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효성, 2021년 정기 임원인사...조용수 부회장 등 23명 승진

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Monday, January 04, 2021, 16:01:39

23명 승진·18명 신규 임원 선임
“철저한 성과주의로 인사 평가”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ효성은 2021년 정기 임원인사를 4일 단행했습니다. 이번 인사는 철저한 성과주의에 기반해 이뤄져 총 23명이 승진, 신규 임원 18명이 선임됐습니다.

 

효성은 “이번 인사의 승진자들은 포스트 코로나 시대 위기 속에서도 안정적인 사업실적을 달성하고 성장을 이끌 수 있는 역량을 갖춘 점을 인정받았다”고 밝혔습니다,

 

효성첨단소재 조용수 전무는 부사장으로 승진했습니다. 신임 조용수 부사장은 효성첨단소재 경영전략실장으로 글로벌 경쟁력 확보에 기여하고, 국내외 사업 확장을 적극적으로 이끌었다는 평가를 받았습니다.

 

다음은 정기 임원인사 내용입니다.

 

<㈜효성>

 

◇ 전무 승진

 

▶ 효성기술원 김철

 

◇ 상무 승진

 

▶ 재무본부 이형욱 ▶ 피츠버그법인장 연규찬

 

◇ 상무보 승진

 

▶ 안양공장장 주정권 ▶ 전략본부 손판규 ▶ 러시아법인장 정상윤 ▶ Hyosung USA 안태환

 

<효성티앤씨㈜>

 

◇ 전무 승진

 

▶ 인도스판덱스법인장 배인한 ▶ 두바이지사장 김태형 ▶ 도쿄법인장 김종민

 

◇ 상무 승진

 

▶ 중국 스판덱스 화남영업 총경리 이성근 ▶ 중국 스판덱스 화동영업 총경리 신경중 ▶ 타이완법인장 김기현

 

◇ 상무보 승진

 

▶ 스판덱스PU 유소라 ▶ 브라질스판덱스법인 공장장 유상훈 ▶ 중국 구매담당 이성수 ▶ 경영전략실 김건오

 

<효성첨단소재㈜>

 

◇ 부사장 승진

 

▶ 경영전략실장 조용수

 

◇ 상무 승진

 

▶ 울산공장 최학철 ▶ 경영전략실 박형민 ▶ 가흥화섬법인 Film부문 총경리 이시순 ▶ 청도법인 생산 총경리 박병권

 

<효성화학㈜>

 

◇ 상무 승진

 

▶ 비나케미칼즈법인 김종기 ▶ 비나케미칼즈법인 박계만

 

<효성중공업㈜>

 

◇ 전무 승진

 

▶ 건설PU 박남용 ▶ IT 혁신 담당 탁정미

 

◇ 상무 승진

 

▶ 전력PU 전병규 ▶ 전력PU 허우행 ▶ 전력PU 김진호

 

◇ 상무보 승진

 

▶ 전력PU 조현철 ▶ 전력PU 김병훈 ▶ 전력PU 남경현 ▶ 중국 남통법인장 장재성 ▶ 건설PU 정진명 ▶ 건설PU 전석 ▶ 회계팀장 이승욱 ▶ 인사팀장 정성훈 ▶ 건설감사팀장 남훈

 

<효성티앤에스㈜>

 

◇ 전무 승진

 

▶ 구미공장장 전석진

 

◇ 상무보 승진

 

▶ 기술연구소장 이훈

 

<효성인포메이션시스템㈜>

 

◇ 상무 승진

 

▶ 금융본부장 이정걸

 

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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