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새해 벽두부터 광폭행보...이재용 부회장 “미래기술 확보는 생존 문제”

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Wednesday, January 06, 2021, 14:01:42

새해 벽두부터 활발한 현장경영 이어가..평택-수원-삼성리서치 방문
차세대 6G 통신·인공지능 연구개발 현황 등 미래 중장기 전략 점검

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 연초부터 현장경영 광폭행보를 이어가고 있습니다. 지난 4일 평택 반도체 파운드리 공장을 찾은 데이어 5일 경기 수원사업장을 찾아 5G 등 차세대 네트워크 통신 등을 점검했습니다.

 

이재용 삼성전자 부회장은 6일 서울 우면동 삼성리서치에서 세트부문 사장단 회의를 주재하고, 차세대 6G 통신 기술과 인공지능(AI) 연구개발 현황 등 미래 중장기 전략을 논의했습니다.

 

이 부회장은 이날 회의에서 ▲차세대 통신 기술 연구 경과 ▲서버용 기술 확보 ▲AI 기술 제품 적용현황 등을 보고 받았습니다.

 

이 자리에는 김현석 CE부문장, 고동진 IM부문장, 최윤호 경영지원실장, 세바스찬 승 삼성리서치 연구소장과 각 사업부 담당 사장들이 참석했습니다.

 

 

이재용 부회장이 새해 첫 행보로 시스템 반도체 사업을 점검한 데 이어, 삼성리서치에서 선행기술 개발 회의를 주재한 것은 포스트 코로나 시대의 미래성장 동력을 확보하기 위한 조치입니다.

 

이 부회장은 최근 “신사업을 발굴해 사업을 확장하고 회사를 성장시키는 것은 당연한 책무”라며, 사명감을 갖고 회사와 산업 생태계를 키워가겠다는 뜻을 밝히기도 했습니다.

 

이 부회장은 지난 2018년 AI, 5G, 전장용 반도체 등 4차 산업혁명 구현에 필수적인 핵심 기술을 삼성의 ‘미래육성사업’으로 선정하고 신사업 육성에 박차를 가하고 있습니다.

 

이 부회장이 이날 찾은 삼성리서치는 산하에 ▲글로벌 AI센터 ▲차세대통신 연구센터 ▲소프트웨어혁신센터 등을 두고 있으며 미래 유망 분야의 선행기술에 대한
연구개발을 담당하고 있습니다.

 

특히 ▲AI 분야에서는 AI를 접목한 스마트폰, TV, 가전제품 기능 혁신 ▲차세대통신 분야에서는 6G 핵심기술에 대한 연구 등이 이뤄지고 있습니다.

 

 

앞서 이 부회장은 지난 4일 새해 첫 현장 경영으로 평택사업장을 찾아 반도체 부문 사장단과 중장기 전략을 점검했습니다. 그는 “2021년 새해를 맞아 새로운 삼성으로 도약하자. 함께하면 미래를 활짝 열 수 있다”며 “삼성전자와 협력회사, 학계, 연구기관이 협력해 건강한 생태계를 만들어 시스템반도체에서도 신화를 만들자”고 강조했습니다.

 

5일에도 이 부회장은 수원사업장에서 네트워크장비 생산라인을 점검하고 글로벌기술센터(GTC)를 찾아 생산기술 혁신 회의를 주재했습니다.

 

이재용 부회장은 “미래기술 확보는 생존의 문제다. 변화를 읽어 미래를 선점하자. 오로지 회사의 가치를 높이고 사회에 기여하는데 전념하자. 선두기업으로서 몇 십배, 몇 백배 책임감을 갖자”고 말했습니다.

 

이 부회장은 다음주까지 광주와 화성 등 가전·반도체 생산 현장과 인공지능(AI), 전장사업을 점검하는 등 현장 경영을 이어갈 전망입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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