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이재용 부회장, 구속 못 피했다…징역 2년 6개월 실형 선고

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Monday, January 18, 2021, 14:01:59

서울고법 형사1부 결심공판
“준법감시위 실효성 충족 못해”

 

인더뉴스 이진솔 기자 | ‘국정농단’ 사건에 연루된 이재용 삼성전자 부회장에 대한 결심공판에서 징역형이 선고됐습니다.

 

서울고법 형사1부(정준영·송영승·강상욱 부장판사)는 18일 뇌물공여 등 혐의로 기소된 이 부회장에게 징역 2년 6개월을 선고했습니다. 불구속 상태에서 재판을 받던 이 부회장은 이날 영장이 발부돼 법정에서 구속됐습니다.

 

이 부회장은 2017년 2월 17일 처음 구속된 후 353일 만인 2018년 2월 5일 2심에서 집행유예로 석방됐다가 이번에 1079일만에 다시 수감됐습니다.

 

재판부는 이 부회장이 박근혜 전 대통령과 최서원(개명 전 최순실)씨 측에 삼성그룹 경영권 승계 등을 도와달라는 청탁과 함께 회삿돈으로 뇌물 86억8000만원을 건넨 혐의를 유죄로 인정했습니다. 이는 2019년 10월 대법원 전원합의체 파기환송 판결 취지를 따른 겁니다.

 

특히 재판부는 삼성 준법감시위원회 활동에 대해 “촉박한 일정 등 한계가 있었음에도 불구하고 전문 심리위원들에 의해 어느정도 점검이 이뤄졌고 전문심리위원 보고서는 법원 홈페이지 통해 공개됐다”며 일정부분 긍정적으로 평가했습니다.

 

하지만 “실효성 기준을 충족했다고 보기 어렵다”며 “이 사건에서 양형 조건에 참작하는 것은 적절하지 않다는 결론에 이르렀다”고 설명했습니다.

 

이날 함께 재판에 넘겨진 최지성 전 미래전략실장 부회장과 장충기 전 미래전략실 사장도 징역 2년 6개월 실형을 각각 선고받았습니다. 박상진 전 삼성전자 사장과 황성수 전 삼성전자 전무에게는 징역 2년 6월과 집행유예 4년이 선고됐습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


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삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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