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외국인 지난달 증시서 2.6조원 순매도...보유액은 ‘사상 최대치’ 갱신

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Monday, February 08, 2021, 06:02:00

지난 1월 2조 6500억원 순매도
“싱가포르는 사고 미국은 팔고”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ외국인 투자자들은 지난 1월 국내 상장주식 2조 6500억원을 순매도했습니다. 그러나 주가가 오르며 외국인 보유액은 사상 최대 규모를 한 번 더 갱신했는데요. 채권의 경우 3개월 만에 순투자로 전환했습니다.

 

8일 금융감독원 ‘2021년 1월 외국인 증권투자 동향’ 자료에 따르면 지난 1월 외국인은 국내 상장주식 2조 6500억원을 순매도하고 상장채권 1조 1580억원을 순투자해 총 1조 4920억원을 순회수했습니다.

 

주식은 전월에 이어 매도세를 보였지만 보유규모는 사상 최대치를 기록했습니다. 1월 말 기준 상장주식 보유액은 전월 대비 23조 6000억원 증가한 787조 9000억원으로 시가 총액의 31.6%를 차지했습니다.

 

지역별로는 아시아에서 1조 2000억원, 유럽에서 1조원 순매수했고 미주 3조 6000억원, 중동 2000억원 순매도했습니다.

 

국가별로는 싱가포르와 아일랜드가 각각 1조 6000억원·9000억원 순매수했고, 미국 3조 4000억원, 케이맨제도 5000억원 순매도했습니다.

 

가장 많은 주식을 보유한 곳은 미국(324조 8000억원)으로 외국인 전체의 41.2%를 차지했습니다. 이어 유럽(244조 1000억원), 아시아(103조원), 중동(29조 7000억원) 순입니다.

 

금감원 관계자는 “코스피 단기 급장에 따른 차익실현과 미국 게임스탑 공매도 이슈로 인해 불안 심리가 확대되면서 매도세가 지속됐다”고 분석했습니다.

 

상장채권의 경우 3조 7980억원을 순매수했으나 2조 6400억원 규모의 만기상환 영향으로 총 1조 1590억원 순투자를 기록했습니다. 이는 비슷한 신용등급 국가와 비교시 높은 국채 금리 때문으로 풀이됩니다.

 

지역별로 아시아(1조 4000억원), 중동(3000억원), 미주(400억원)에서는 순투자했고, 유럽(1조 3000억원)은 순회수했습니다. 보유규모는 아시아(74조 9000억원)가 전체의 49.5%를 유럽(44조 2000억원)이 29.2%입니다.

 

잔존만기 5년이상과 1~5년미만 채권에 순투자했고 1년미만 채권은 순회수했습니다. 1월 말 잔존만기별 비중은 1~5년미만 채권(61조 3000억원)이 전체의 40.4%, 5년이상(47조 8000억원)이 31.6%, 1년미만(42조 4000억원)은 28%입니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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