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코로나가 새로 쓴 ‘상장사 배당史’...SK하이닉스·LG화학 ‘웃고’ 현대차·금융지주 ‘울고’

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Wednesday, February 24, 2021, 12:02:02

삼성전자 부동의 ‘1위’..이어 SK하이닉스·현대차·LG화학 순

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ코로나19 여파로 국내 상장사의 2020년 실적 기준 배당금 순위가 급변했습니다. 지난해 호실적으로 기록한 삼성전자는 배당총액 기준 1위를 지켰고 배당 강자였던 현대차·금융지주는 배당 축소를 결정하면서 순위가 하락했습니다.

 

24일 기업평가사이트 CEO스코어가 국내 상장사 중 배당액이 공개된 613개사를 조사한 결과 이들 기업의 지난해 회계연도 기준 배당액은 전년 대비 46.7% 증가해 37조 3431억원으로 집계됐습니다.

 

증가폭을 끌어올린 곳은 삼성전자였습니다. 삼성전자는 배당금액 기준 1위를 수성했는데 2020년 배당액은 20조 3381억원으로 전년 대비 10조 7188억 가량 증가했습니다. 이는 작년 총 배당 증가분의 90%에 달하는 수치입니다.

 

SK하이닉스는 2위로 올라섰습니다. 배당금은 전년 대비 1163억원 증가한 8003억원입니다. 반면 현대차의 경우 전년 대비 2680억원 감소한 7855억원을 배당해 3위로 순위가 하락했습니다.

 

배당규모를 대폭 확대한 LG화학이 배당 규모 4위를 차지했습니다. SK텔레콤은 전년도보다 배당규모를 축소해 7151억원을 배당하지만 5위에 이름을 올렸습니다. 6위였던 전년과 비교하면 한 단계 오른 수치입니다.

 

이른바 ‘배당주’라고 불리는 금융지주들이 순위는 금융당국의 배당 자제령 영향으로 일제히 하락했습니다. KB금융(6897억원)은 1년 새 배당액을 1714억원 줄여 4위에서 6위로 떨어졌고, 하나금융지주(5394억원)는 9위를 기록했습니다.

 

개인별 배당에서는 고 이건희 삼성전자 회장, 이재용 삼성전자 부회장, 홍라희 전 리움 관장 순으로 1위부터 3위에 이름을 올렸습니다. 이들의 배당액은 1조원을 훌쩍 뛰어넘어 총 1조 2453억원을 기록했습니다.

 

이어 최태원 SK회장(910억원), 조정호 메리츠금융지주 회장(891억원), 정몽구 현대차 명예회장(780억원), 정몽준 아산재단 이사장(777억원) , 구광모 LG 회장(688억원), 정의선 현대차 회장(582억원)이 상위 10위권을 형성했습니다.

 

한편 재계에서는 CEO의 연봉·배당금 정보가 공개되면서 관심을 모으고 있습니다. SK최태원 회장의 경우 성과급 사태로 30억원으로 추정되는 연봉을 반납하겠다고 밝힌 바 있습니다.

 

구광모 LG그룹 회장은 연봉과 수령 예정인 배당금을 상속세 재원으로 사용할 것이라는 전망이 흘러나옵니다. 구 회장의 지난해 연봉은 80억 800만원으로 전년 대비 48.4% 증가했습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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