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시뇨라 르노삼성 사장 “희망퇴직 임직원 희생 존경...서바이벌 플랜 완수해야”

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Wednesday, March 03, 2021, 15:03:57

사내게시판 통해 “뼈를 깎는 노력 필요” 강조
내수 시장 가치 제고·XM3 수출 경쟁력 확보

 

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ르노삼성차 사장이 희망퇴직을 선택한 임직원의 희생에 감사의 뜻을 전했습니다. 아울러 남은 임직원에게 수익성 개선을 위한 ‘서바이벌 플랜’ 성공을 위한 최선의 노력을 주문했습니다.

 

3일 업계에 따르면 도미닉 시뇨라 사장은 지난 2일 사내 게시판을 통해 “회사의 지속가능한 미래를 위해 우리의 많은 동료가 희생(희망퇴직)을 선택했다”며 “그분들께 진심 어린 존경을 표한다”고 말했습니다.

 

또한 시뇨라 사장은 “회사는 회사의 생존을 위해 개인적 희생을 감수한 많은 동료의 고귀한 뜻을 이어받아 앞으로도 회사가 직면한 도전을 우리 스스로 극복해 낼 준비가 될 때까지 조직에 대한 정비를 계속해 나갈 것”이라고 강조했습니다.

 

르노삼성차는 지난달까지 전 임직원 대상 희망퇴직을 실시했습니다. 2012년 8월 이후 8년여 만인 이번 희망퇴직과 관련해 노조는 해당 인원이 400~500명에 달한다고 추정했습니다.

 

르노삼성차의 서바이벌 플랜은 크게 내수 시장에서의 가치 제고, 유럽 수출 모델인 XM3의 경쟁력 확보, 구조조정 등 3개의 축으로 구성됩니다. 르노삼성차는 이번 희망퇴직과 임원 축소·임금 삭감으로 고정비용 절감이 가능해졌다고 보고 추가 희망퇴직은 받지 않을 것으로 알려졌습니다.

 

시뇨라 사장은 “지금부터는 우리의 비즈니스에 집중하며 모든 역량을 다해 내수 실적을 개선하고 유럽 수출 모델의 생산 비용 절감을 이루며 서바이벌 플랜을 완수해 나가야 한다”고 거듭 강조했습니다.

 

르노삼성차는 지난 1, 2월 내수 시장에서 각각 3534대와 3900대를 판매하는 데 그쳤습니다.

 

시뇨라 사장은 “모든 영업 활동을 수익성 중심으로 개선하고, 15% 이상의 한계이윤을 지속해서 발생시키며 2022년부터는 손익분기점에 도달할 수 있도록 해야 한다”며 영업 조직의 안정, 소통 강화 등을 주문했습니다.

 

아울러 “협력업체들에도 XM3의 유럽 시장 성공을 위한 적극적인 지원을 부탁했다”며 “이제 남은 것은 제조 원가 절감과 생산 안정성 확보를 위한 우리 스스로의 뼈를 깎는 노력뿐”이라고 말했습니다.

 

르노그룹 제조·공급 총괄 임원인 호세 비센트 드 로스 모조스 부회장도 지난주 1박 2일 일정으로 부산공장을 방문해 XM3 수출 성공을 위해 최고의 품질과 생산 비용 절감, 생산 안정성 등 3가지 목표 달성이 필요하다고 강조했습니다.

 

이런 가운데 르노삼성차 노조는 사측이 희망퇴직에 이어 1교대 생산과 순환휴직 등을 추진하는 데에 반발하고 있어 갈등이 지속되고 있습니다.

 

르노삼성차 노사는 오는 4일 고용안정위원회를 열어 1교대 생산 등에 대해 논의하고 이후 작년 임금단체협상 본교섭도 진행할 예정입니다. 르노삼성차는 국내 완성차 5개사 중 유일하게 작년 임단협을 타결하지 못한 상황입니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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