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신한금융, 사외이사에 곽수근·배훈·이용국·최재붕 4명 신규 추천

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Wednesday, March 03, 2021, 16:03:31

2021년 정기주주총회, 이달 25일 개최 결정

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ신한금융지주(회장 조용병)는 3일 정기 이사회를 열어 2021년 정기주주총회 안건을 확정하고 4명의 신규 사외이사 후보를 추천했습니다. 추천된 사외이사 후보는 곽수근 서울대학교 경영대학 명예교수, 배훈 변호사, 이용국 서울대학교 법학전문대학원 임상교수, 최재붕 성균관대학교 기계공학과 교수 등입니다.

 

2021년 정기주주총회는 오는 25일 오전 10시 서울 중구 세종대로에 위치한 신한은행 본점 20층 대강당에서 개최됩니다. 주주총회에서 상정될 안건은 ▲제20기 재무제표·연결재무제표 승인 ▲정관 변경 ▲이사 선임 ▲감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임 ▲감사위원회 위원 선임 ▲이사보수 한도 승인입니다.

 

신한지주 이사회는 이날 곽수근 서울대학교 경영대학 명예교수, 배 훈 변호사법인 오르비스 변호사, 이용국 서울대학교 법학전문대학원 임상교수, 최재붕 성균관대학교 기계공학과 교수 등 총 4명의 사외이사 후보를 신규 선임 추천했습니다.

 

곽수근 후보자는 회계 분야의 전문 석학으로 오랜 기간 회계학 교수로 재직하며 다방면의 학회, 공공기관 자문위원으로 활동했습니다.

 

신한지주 사외이사후보추천위원회는 추천 사유에 대해 “곽 후보자는 다양한 기업의 사외이사로 재직한 경력을 보유해 전체 주주들의 의사를 공정하게 대변해 사외이사로서의 책무를 충실히 이행할 것으로 기대된다”고 말했습니다.

 

배 훈 후보자는 주주추천공모제를 통해 롱리스트에 편입한 재일 한국인 변호사입니다. 현재 한일 기업 법무 자문을 하고 있으며 경영학 석사 학위를 이수한 일본 공인회계사입니다.

 

사추위는 “각종 기업 업무에 대한 효과적인 법률 자문을 수행한 이력을 바탕으로 이사회에서 글로벌 진출과 관련한 유효한 자문 등 활동이 기대된다”고 설명했습니다.

 

이용국 후보자는 주주 Affinity Equity Partners가 추천한 법률·금융 분야의 전문가로 글로벌 대형 로펌인 Cleary Gottlieb Steen & Hamilton LLP 소속 변호사입니다. 오랜 기간 해당 로펌의 홍콩사무소 파트너 변호사와 서울사무소 대표 변호사로 재직한 바 있습니다.

 

최재붕 후보자는 주주 Baring Private Equity Asia가 추천한 정보기술 분야의 전문가입니다. 기계공학 교수로 재직 중이며 ICT 관련 산학협력 활동과 정부 주도 혁신사업에 활발히 참여한 이력을 보유했습니다.

 

금융회사의 지배구조에 관한 법률에 따라 신한지주에서 6년의 임기를 채운 박철 이사와 히라카와 유키 이사, 필립 에이브릴 이사는 올해 3월 정기주총을 끝으로 퇴임합니다.

 

신한지주 이사회는 3월 임기가 만료되는 박안순(대성상사 주식회사 회장), 변양호(VIG파트너스 고문), 성재호(성균관대학교 법학전문대학원 교수), 이윤재(前대통령재정경제비서관), 최경록(㈜CYS 대표이사), 허용학(First Bridge Strategy Ltd. CEO) 6명의 사외이사에 대해서는 재선임 추천하고, 진옥동 신한은행 은행장을 기타비상무이사로 재추천했습니다.

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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