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SK종합화학, 중국서 친환경 고부가 패키징 소재 생산거점 건설

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Monday, March 15, 2021, 10:03:38

투자규모 2000억원..연간 4만톤 규모 에틸렌 아크릴산(EAA) 생산

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣSK이노베이션(대표 김준) 자회사인 SK종합화학이 친환경 ESG를 방향으로 하는 파이낸셜 스토리의 본격 실행을 위해 친환경 고부가 패키징 소재 사업 확대에 나섰습니다.

 

SK종합화학(대표 나경수)은 중국 화학기업 웨이싱석화와 기능성 접착 수지(Adhesive Copolymer)의 한 종류인 에틸렌 아크릴산(Ethylene Acrylic Acid, 이하 EAA) 생산·판매 목적의 중국 내 합작회사 설립을 위한 업무협약을 체결했다고 15일 밝혔습니다.

 

신규 합작회사는 총 투자금 약 2000억원 규모로 연내에 SK종합화학과 웨이싱석화가 6:4 비율로 현금 출자해 설립할 계획입니다. EAA소재 생산 기술력 및 판매 채널을 가진 SK종합화학과 안정적 원료 공급이 가능한 중국 웨이싱석화의 장점을 결합해, 중국 등 아시아 시장을 선점하겠다는 전략입니다.

 

SK종합화학은 2017년 미국 다우로부터 EAA 사업을 인수할 당시부터 중국 등 아시아 신흥국을 대상으로 고부가 포장재 사업을 확대하겠다는 계획을 밝혔습니다. 이번 합작을 통해 SK종합화학은 미국 텍사스, 스페인 타라고나에 이어 중국 강소성 롄윈강시에 3번째 EAA 공장을 확보하며, ‘미국-유럽-아시아’를 잇는 글로벌 고부가 소재 생산 거점을 갖추게 됩니다.

 

SK종합화학은 “중국 등 아시아 신흥시장에서 EAA 소재 수요가 크게 늘고 있다는 점에서, 전략적 투자를 검토하게 됐다”라고 전했습니다. 중국은 포장/배달 수요 급증으로 신선식품 포장재 시장이 급속도로 성장하고 있습니다. SK종합화학의 EAA소재는 친환경 패키징 기술로 잘 알려져 빠르게 성장하는 신선식품 포장소재 시장에서 각광받고 있습니다.

 

중국 EAA 신규공장 건설 지역인 롄윈강시는 최근 대규모 친환경 화학공업 단지를 조성하고 있으며, 앞으로 중국 내 최고 화학공업 단지로 성장할 것으로 전망됩니다. 또한 롄윈강시는 수출입 인프라와 전기·오폐수처리와 같은 유틸리티 시설이 잘 갖춰진 입지조건과 단지 내에서 EAA소재 생산을 위한 핵심 원료인 에틸렌 등을 안정적으로 공급받을 수 있는 장점으로 최종 낙점됐습니다.

 

아울러 SK종합화학은 중국 첫 EAA 공장 설립을 통해 아시아 지역 친환경 고부가 패키징 시장 선점을 위한 교두보로 삼을 뿐 아니라, 친환경 화학소재 허브로 키워간다는 계획입니다.

 

나경수 SK종합화학 사장은 “파이낸셜 스토리의 핵심인 More Green, Less Carbon 실행을 위해 친환경 고부가 패키징 사업을 확대하는 등 플라스틱 순환경제 구축에 박차를 가하고 있다”며 “글로벌 고부가 패키징 시장을 선점할 뿐 아니라, 제품의 생산부터 재활용까지 고려한 친환경 화학소재 생태계 구축에도 앞장설 것”이라고 강조했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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