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동원시스템즈, 2차전지용 캔 제조업체 156억원에 인수

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Wednesday, March 24, 2021, 16:03:34

2차전지 첨단 소재기업으로 변신 속도

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 동원시스템즈(대표 조점근)가 24일 2차전지용 캔 제조업체인 엠케이씨(MKC) 지분 100%를 156억원에 인수하는 계약을 체결했습니다.

 

국내 1위 종합 포장재 기업인 동원시스템즈는 지난해 11월 충남 아산시 아산사업장에 2차전지용 알루미늄 양극박 생산 라인을 증설한 데 이어 이번 인수로 2차전지용 캔 사업까지 진출하면서 2차전지를 중심으로 한 첨단 소재기업으로의 변신에 속도를 낼 수 있게 됐습니다.

 

2차전지용 캔은 전해액 등 내용물을 담는 용기로 누전을 막고 외부 환경으로부터 보호하는 역할을 하는 2차전지 필수부품입니다. 엠케이씨는 2002년 설립 이후 1차·2차전지용 원통형 캔을 전문으로 생산해온 업체입니다. 2005년 리튬 이온 2차전지용 18650 규격(지름 18mm·높이 65mm) 원통형 캔을 자체 개발해 삼성SDI, LG 에너지솔루션 등 국내 주요 업체에 납품해왔습니다.

 

엠케이씨는 금형 설계에서부터 금형 제작, 프레스 드로잉 작업 및 표면처리까지 모든 제작 공정을 일괄적으로 처리하고 있습니다. 자체 공장 3개로 연간 1억4000만 개에 달하는 캔을 생산하면서도 캔 두께를 0.3mm 이하로 유지하는 기술력을 갖고 있습니다. 이런 경쟁력을 바탕으로 지난해 매출 100억원을 기록했습니다.

 

동원시스템즈는 이번 인수를 계기로 전문 영역인 식품 및 음료용 금속 캔 생산 노하우를 접목해 향후 2차전지용 캔 사업에서 시너지를 창출하고 업계에서 선도적인 역할을 하겠다는 계획입니다.

 

배터리전문조사기관인 SNE리서치에 따르면 지난해 전기차 배터리 유형별 점유율은 캔(원통형·각형 합산) 72.2%, 파우치 27.8%로 캔 배터리 비중이 컸습니다. 앞으로도 캔 배터리 시장은 지속해서 성장해 지난해 97.8GWh(기가와트시)에 머물렀던 캔 배터리 수요가 2030년에는 1714GWh까지 17.5배 급증할 것으로 예상됩니다.

 

실제로 폭스바겐은 지난 15일 2023년부터 기존 파우치형 배터리 대신 캔형 배터리를 출시하고 2030년까지 사용 비율을 80%까지 늘린다고 밝혔습니다. 테슬라는 지난해 9월 신규 규격인 지름 46㎜·길이 80㎜인 4680 원통형 배터리 개발을 선언하기도 했습니다.

 

동원시스템즈 관계자는 “앞으로 추가적인 2차전지 부품 사업 진출을 통해 최첨단 종합 소재기업으로서 면모를 갖출 것”이라며 “나아가 고객사와 협업을 바탕으로 해외에 부품 생산 기지 구축을 적극적으로 검토할 계획”이라고 말했습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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