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이석희 SK하이닉스 대표 “D램·낸드 양 날개로 성장 도모할 것”

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Tuesday, March 30, 2021, 12:03:03

정기 주주총회서 밝혀

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 이석희 SK하이닉스 대표가 회사를 인류와 사회에 기여하는 ‘그레이트 컴퍼니(Great Company)’로 도약시키겠다는 의지를 밝혔습니다.

 

30일 경기도 이천 본사에서 열린 정기 주주총회에서 이석희 대표는 “2년 전 최고경영자(CEO)로 취임하면서 목표로 제시한 ‘기업가치 100조원’을 올해 초 예상보다 이른 시점에 달성했다”며 “이제 그보다 더 높은 목표를 바라보고자 한다”고 했습니다.

 

이어 “‘파이낸셜 스토리’를 기반으로 D램과 낸드 양 날개를 펼쳐 회사 성장을 도모하고 주주가치 제고를 가속하겠다”고 선언했습니다.

 

SK그룹 주요 관계사는 최태원 회장의 화두인 파이낸셜 스토리에 회사 미래 성장 방향성을 담아 이해관계자들과 소통하는 데 주력하고 있습니다. SK하이닉스는 사업 측면에서 D램과 낸드 사업 경쟁력을 공고히 하는 동시에 환경·사회·지배구조(ESG) 경영을 통해 기업가치를 높이는 방향을 지향하고 있습니다.

 

먼저 경제적 가치 측면에서는 낸드 사업 수익성 개선에 집중하겠다고 밝혔습니다. SK하이닉스는 지난 2018년 키옥시아(옛 도시바) 투자에 이어 지난해 10월 인텔 낸드 사업부 인수 계약을 체결했습니다.

 

이석희 대표는 인텔 계약에 대해 “SK하이닉스는 낸드 모바일에, 인텔은 eSSD에 강점이 있어 시너지를 극대화할 수 있다”며 “인수가 완료되면 D램에 이어 낸드 사업에서도 글로벌 선두권으로 도약할 수 있다”고 설명했습니다.

 

SK하이닉스는 경제적 가치와 사회적 가치를 동시에 창출할 수 있는 사업으로 SSD를 제시했습니다. 이석희 대표는 “대표적인 저장장치인 HDD(하드디스크)를 모두 저전력 SSD로 대체한다면 이산화탄소 배출량을 93% 줄일 수 있다”며 “SSD 기술 경쟁력을 통한 경제적 가치는 물론 환경문제 해결에 기여해 사회적 가치를 만들 수 있다”고 말했습니다.

 

이날 이석희 대표는 미래 투자 방향성에 대해서도 언급했습니다. 그는 연구개발, ESG 경영 강화, 미래성장동력 발굴 등 세 가지 분야에 집중적으로 투자하겠다고 밝혔습니다.

 

연구개발과 관련해 이석희 대표는 “미국, 유럽 등 여러 지역에 연구·개발(R&D) 집중 육성을 위한 인프라를 만드는 안을 구상하고 있다”고 말했습니다. 이어 ESG 측면에서는 “2050년까지 재생에너지 활용 비율을 100%로 하겠다는 RE100과 ‘탄소 순 배출 제로(Carbon Net Zero)’ 선언을 충실히 준비해 가겠다”고 계획을 밝혔습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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