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한국타이어家 경영권 분쟁, 차남 조현범 1차전 ‘승리’

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Tuesday, March 30, 2021, 14:03:17

사측 추천한 이미라 GE 한국 인사 총괄 득표율 8%로 선임

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 감사위원 선임 건을 두고 한국타이어가(家) 형제간 표 대결이 벌어진 한국타이어앤테크놀로지(대표 이수일) 주주총회에서 차남이 압승했습니다. 사실상 형제간 경영권 분쟁 ‘전초전’인 주총에서 차남 조현범 사장이 승기를 잡으며 유리한 고지를 선점했다는 분석이 나옵니다.

 

30일 연합뉴스 보도에 따르면 한국타이어앤테크놀로지는 경기도 판교 사옥에서 사내이사·사외이사를 선임하는 주총을 열었습니다. 감사위원회 위원이 되는 사외이사에 조현범 사장을 중심으로 한 사측이 추천한 이미라 제너럴일렉트릭(GE) 한국 인사 총괄이 득표율 84%로 선임됐습니다.

 

반면 장남 조현식 한국앤컴퍼니(대표 조현식·조현범) 부회장과 장녀 조희경 이사장은 이혜웅 비알비 코리아 어드바이저스 대표이사를 감사위원으로 주주 제안했지만 득표율이 16%에 머무르며 선임에 실패했습니다.

 

조현범 사장을 포함해 이수일 대표, 박종호 사장 등 사내이사 선임과 표현명 케이티 사외이사 등 3명 사외이사 선임도 가결됐습니다. 한국타이어앤테크놀로지 지분 8.66%를 가진 국민연금이 조현식 부회장의 감사위원 선임안에 찬성하고 조현범 사장의 이사 재선임안에 반대했지만 조현범 사장이 ‘압승’을 거뒀습니다.

 

최대 주주와 특수관계인 의결권을 3%로 제한하는 이른바 ‘3%룰’ 적용으로 조현범 사장, 조현식 부회장 등의 의결권이 3%로 제한된 점을 고려하면 소액주주 대부분이 조현범 사장의 손을 들어준 것으로 분석됩니다.

 

한국타이어가 경영권 분쟁은 지난해 조현범 사장이 시간 외 대량매매로 아버지 조양래 한국앤컴퍼니 회장 몫 23.59%를 모두 인수해 한국앤컴퍼니(한국타이어앤테크놀로지 계열사) 최대 주주로 올라서면서 심화했습니다.

 

한국앤컴퍼니는 조현범 사장이 42.90% 지분을 보유하고 있고 조현식 부회장 19.32%, 차녀 조희원 씨 10.82%, 장녀 조희경 한국타이어나눔재단 이사장 0.83% 등을 보유하고 있습니다. 한국타이어앤테크놀로지 지분율은 한국앤컴퍼니 30.67%, 조양래 회장 5.67%, 조희경 이사장 2.72%, 조현범 사장 2.07%, 조희원 씨 0.71%, 조현식 부회장 0.65% 등입니다.

 

이날 오후 열릴 예정인 한국앤컴퍼니 주총에서는 사외이사 선임 건을 두고 형제간 표 대결 2차전이 이어집니다. 한국앤컴퍼니 이사회는 사외이사 겸 감사위원회 위원으로 김혜경 전 청와대 여성가족비서관을 추천했고 조현식 부회장은 이한상 고려대 교수를 주주 제안했습니다. 조현식 부회장은 이한상 교수 선임이 마무리되면 대표이사에서 사퇴하겠다고 밝혔습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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