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신고가 경신한 ‘이더리움’...시총 2위의 반란 이어질까?

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Saturday, May 08, 2021, 05:05:00

6일 사상 최고가 기록한 이더리움..“5000달러 달성도 가능”
전문가들 “비주류 알트코인 급상승 도래할 것” 긍정적 전망 내놔

 

인더뉴스 안정호·이정훈 기자ㅣ가상화폐 시가총액 2위인 이더리움이 우수한 안정성과 범용성을 기반으로 시총 1위 비트코인을 제치고 차세대 가상업계의 대표주자로 거듭날 것이라는 전문가들의 전망이 이어지고 있습니다.

 

8일 로이터통신 등 외신에 따르면 이더리움은 지난 6일 최고가 3616.6달러(한화 405만원 상당)를 기록했습니다. 이는 지난해 5월 가격이었던 207달러보다 약 18배 상승한 수치입니다.

 

미국의 영향력 있는 경제지인 포브스는 “빠르게 성장한 이더리움은 비트코인에 이어 가상화폐 시장 2위의 지분을 가진 화폐로 도약했으며, 미국에선 이미 페이팔(Paypal)이나 뱅크 오브 아메리카(Bank of America)등 주요 금융기관과 협력 중”이라며 이더리움의 최근 상승을 설명했습니다.

 

이와 같은 이더리움의 상승은 전문가들에 의해 이미 수 년전 예측됐습니다. 실제 암호화폐 헤지펀드 멀티코인 캐피탈의 공동 설립자인 카일 사머니는 지난 2018년 한 컨퍼런스에서 “오늘 토큰 하나를 고르고 10년 후에 돌아오라고 한다면 이더리움을 선택할 것”이라고 말한 바 있습니다.

 

또한 애플의 공동 창업자 스티브 워즈니악도 같은해 오스트리아 비엔나에서 개최된 ‘위아디벨로퍼스 월드콩그레스 2018’ 컨퍼런스에서 “80년대 젊은 애플과 비교할만하다”고 이더리움을 평가한 것이 뒤늦게 주목받고 있습니다.

 

아울러 가상화폐업계 관계자들은 이더리움의 잠재력은 상당하다고 평가했습니다. 컨설팅 업체인 디베르 그룹의 창립자인 나이젤 그린은 “이더리움은 비트코인보다 더 안정적이고 보다 다양한 사용처와 해결책을 제시하며, 비트코인보다 우수한 블록체인 기술력을 기반으로 보다 다양한 영역에서 활용될 수 있다”며 비트코인을 장기적으로 대체할 수 있다고 분석했습니다.

 

또한 그는 “조심스러운 전망이지만, (이더리움이) 5000달러까지도 장기적으로 달성할 수 있다고 생각한다”며 이더리움의 상승이 지속될 것이라고 전망했습니다. 가상화폐 거래소 CEX.IO의 콘스탄틴 애니시모프 사무국장은 “이더리움이 기록한 사상 최고 가격은 가까운 미래에 (이더리움이) 시총에서 결국 비트코인을 대체할지 모른다는 야심찬 흐름에 다시 불을 붙였다”고 전했습니다.

 

불안전성인 측면에서 일각에서는 이더리움에 대해 우려의 시선도 존재합니다. 영국 금융서비스회사 하그리브스랜스다운의 수잔나스트리터 수석 애널리스트는 “이더리움 등 암호화폐의 가치는 여전히 상상의 영역”이라며 “이더리움의 최근 상승세는 투자자들의 입소문 덕이지 실제 가치를 인정받은 것은 아니다”라고 말했습니다. 

 

한편, 세계적인 가상화폐 열기에 비트코인 외의 가상화폐인 일명 ‘알트코인’이 투자자들에게 주목받고 있습니다. 실제로 가상화폐 시총 1위 비트코인의 시장 점유율은 올해 초 70%에서 46%로 감소하며 다른 코인들의 시장 점유율이 증가한 것입니다. 

 

가상화폐 전문매체인 뉴스BTC의 분석관 토니 스필로트로는 “알트코인 시즌이 다가오고 있다”며 “이더리움, 라이트코인(LTC) 등 주요한 알트코인이 우선적으로 상승한 후 비주류 알트코인의 급격한 상승이 도래할 것”이라고 전망했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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