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SK, ‘탄소감축인증센터’ 신설…온실가스 순배출 제로 가속화한다

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Sunday, July 25, 2021, 12:07:00

‘넷제로’ 조기 달성 선언 이어 민간 기업 최초로 인증센터 발족해
SK 독자개발 ‘탄소감축 방법론’ 활용..관계사 감축지원·성과 인증

 

인더뉴스 이진솔 기자ㅣSK그룹(회장 최태원)이 탄소감축 방법과 탄소 감축량을 인증하는 전문조직을 신설해 넷제로(Net Zero) 실행력 강화에 나섭니다.

 

SK그룹은 관계사들의 넷제로 로드맵 실행을 지원하기 위해 SK탄소감축인증센터를 신설해 지난 23일부터 본격 활동에 들어갔다고 25일 밝혔습니다. 인증센터는 그룹 최고 경영협의기구인 SK수펙스추구협의회 내 올해 신설한 환경사업위원회 산하에 설치됐습니다.

 

인증센터는 SK가 독자개발한 ‘SK탄소감축인증표준’ 등을 활용해 그룹 차원의 넷제로 등 친환경 경영을 체계적으로 지원하는 공유 인프라 기능을 하게 됩니다. 이 표준은 SK 관계사의 제품, 서비스를 통해 탄소를 절감하는 방법과 감축 성과를 평가 및 인증하는 시스템입니다. 

 

해당 분야 글로벌 표준으로 평가되는 국제연합(UN) CDM(온실가스 감축 사업 제도)과 미국의 베라(VERRA·탄소배출권 인증 및 발행 기관) 시스템을 벤치마킹했습니다. SK는 탄소감축 노력과 성과를 계량화해 평가하는 시스템을 도입함에 따라 SK 녹색경영에 대한 이해관계자들의 신뢰도가 높아질 것으로 기대하고 있습니다.

 

SK CEO들은 앞서 지난달 그룹 확대경영회의에서 글로벌 탄소중립 목표 시점인 2050년보다 앞서 온실가스 순배출 제로를 달성한다는 넷제로 선언을 공동 결의했습니다. 당시 최태원 회장은 “넷제로는 하느냐 마느냐의 문제가 아니라 경쟁력의 문제로서 남들보다 더 빨리 움직여야 한다”며 신속한 추진을 당부했습니다.

 

앞으로 인증센터는 SK 관계사가 제시한 탄소감축 방법론과 감축량을 ▲실제성(전체 배출원을 확인했는지 여부) ▲추가성(탄소감축을 위한 추가 노력 여부) ▲지속성(감축 효과의 지속성 여부) 등을 기준으로 평가할 계획입니다.

 

인증센터는 연말까지 SK이노베이션의 전기차 배터리, SK하이닉스의 저전력 반도체, SK루브리컨츠 친환경 윤활유 등 10건 이상의 탄소감축 방법론을 최종 심의 및 인증할 예정입니다.

 

SK는 인증 신뢰도와 객관성을 높이기 위한 방안으로 회계법인·컨설팅 업체 등이 참여하는 제3자 사전 검증을 의무화했습니다. 또 인증 심의를 맡는 인증위원 6명 중 50%를 외부 전문가로 채웠습니다. 외국 민간업체를 통한 탄소감축 평가와 달리 SK 인증센터는 인증기간을 6개월 내외로 단축할 수 있다는 설명입니다.

 

SK 환경사업위원회 그린 패러티 소위원장인 조경목 SK에너지 사장은 “민간 기업 최초 인증센터인 만큼 외부 평가기관과 투자자의 신뢰를 받을 수 있도록 노력을 기울일 계획”이라며 “중장기적으로 다양한 플레이어들이 참여해 자발적 탄소시장 생태계를 선도하는 플랫폼으로 성장시켜 나가겠다”고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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