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‘충청대망론’ 이완구 전 국무총리 별세

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Thursday, October 14, 2021, 14:10:48

혈액암 투병 중에 소천 향년 71세
'포스트 JP'로 불리며 충청대망론 물망
지난해 정계 은퇴 후 현실정치 발 끊어

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ이완구 전 국무총리가 14일 오전 향년 71세로 별세했습니다.

 

이 전 총리는 2012년 혈액암의 일종인 다발성골수증을 진단받은 이후 골수이식을 받고 건강을 회복했지만 2016년과 근래 혈액암이 재발해 투병 생활을 이어오다 생을 마쳤습니다.  

 

충남 홍성 출신의 고인은 성균관대 법대를 졸업한 뒤 1974년 행정고시에 합격해 기획재정부의 전신인 경제기획원에서 잠시 근무했었습니다. 이후 치안 분야로 옮겨 최연소(31세) 경찰서장과 충남·북지방경찰청장을 지냈습니다. 

 

1995년 민자당에 입당하면서 정치인으로 변신한 고인은 이듬해 15대 총선에서 충남 청양·홍성에 출마해 국회의원에 당선됐습니다. 당시 총선에서 신한국당 후보로는 충남지역에서 유일하게 여의도에 입성해 주목을 받았습니다.  

 

이후 16대 국회에서 재선에 성공하며 신한국당 당대표 비서실장과 자민련 대변인, 원내총무, 사무총장 등 중책을 두루 역임했습니다. 이 과정에서 충청권의 맹주였던 JP(김종필 전 국무총리)의 뒤를 이어 '포스트 JP'로 불릴만큼 충청권의 대표적인 정치인으로 성장했습니다. 

 

여세를 몰아 2006년 지방선거에서 한나라당 소속으로 충남지사에 당선됐지만 이명박 정부가 2009년 세종시 수정안을 추진하는데 반발해 "충남도민의 소망을 지켜내지 못한 정치적 책임을 지겠다"며 지사직에서 전격 사퇴했습니다. 

 

하지만 박근혜 정부 들어 여당 원내 사령탑에 이어 국무총리에 오르며 충청권의 유력한 대권주자로 정치적 재기에 성공했습니다. 

 

그러나 2015년 성완종 전 경남기업 회장의 자살로 불거진 이른바 '성완종 리스트' 사건에 연루돼 70일 만에 불명예 퇴진하며 정치인으로서 최대의 위기를 맞았습니다. 

 

2017년 대법원에서 무죄 판결을 받아 명예를 회복했지만 지난해 총선 당시 "세대교체와 함께 인재 충원의 기회를 열어주는 데 기여하고자 한다"며 불출마를 선언, 정계에서 사실상 은퇴했습니다.

 

 

빈소는 서울성모병원 장례식장에 마련됐으며 발인은 16일, 장지는 충남 청양 비봉면 양사리 선영입니다. 유족으로는 부인 이백연 씨와 아들 병현·병인 씨가 있습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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