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전세대출 옥죄기 잠시 멈춤…금융위원장 “DSR 규제 포함하지 않는다”

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Thursday, October 21, 2021, 14:10:07

고승범 금융위원장 가계부채 추가대책 주요 내용 미리 밝혀
실수요자 전세대출 규제 한걸음 물러서
갭투자 방지 방안 담길 듯

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ“전세대출에 대해 여러 각도로 검토하고 방안을 강구하겠다.”

 

이달 하순 나올 정부의 가계부채 추가대책에서 전세대출 시 차주단위 총부채 원리금상환비율(DSR) 규제가 완화될 전망입니다.

 

고승범 금융위원장은 21일 국회 정무위원회의 금융위원회·금융감독원 종합 국정감사에 출석했습니다.

 

고 위원장은 오기형 더불어민주당 의원(도봉 을)이 ‘실수요자 보호를 위해 전세대출을 어떻게 관리 할 것인가?’는 질문에 “전세대출과 관련해 DSR 규제를 하는 방안을 여러 각도에서 검토했지만 이번 대책에는 포함시키지 않기로 했다”고 답했습니다.

 

DSR은 개인이 보유한 모든 가계대출의 원리금 상환액 합계가 연 소득에서 차지하는 비율을 뜻합니다. 차주단위 DSR 규제는 대출자의 상환능력에 초점을 맞춰 원리금 상환액이 소득의 일정 수준을 넘지 못하도록 대출액의 상한선을 정하는 게 핵심입니다.

 

금융당국이 가계대출 관리를 강화하면서 전세대출도 DSR 대상에 포함될 것이란 예상 서민 실수요층의 추가 대출이 막힐 수 있다는 우려가 불거졌습니다. 급기야 문재인 대통령이 “서민 실수요자의 전세대출이 차질없이 공급되도록 세심하게 관리하라”고 주문하면서 금융당국이 한 걸음 물러난 것으로 보입니다.

 

금융당국은 지난 7월부터 부동산 규제지역에서 6억 원이 넘는 주택을 담보로 주택담보대출을 받거나 1억 원이 넘는 신용대출을 받으면 차주별로 은행에선 40%, 2금융권에선 60%의 DSR 규제를 적용하고 있습니다.

 

내년 7월부터 총대출액 2억 원 초과 차주에 대해, 2023년 7월에는 총대출액 1억 원 초과 차주로 대상을 순차적으로 확대할 예정이었지만 가계대출 증가세가 가팔라지면서 규제 적용 시기를 앞당길 방침이었습니다.

 

고 위원장은 “실수요자 대출이 늘고 있어 전체적으로 가계부채 관리가 쉽지 않은 것이 현실”이라며 “실수요자 대출의 대부분이 전세대출이고 정책모기지, 집단대출 순 인데 그 중 전세대출에 대해 여러 각도에서 검토하고 방안을 강구했다”고 설명했습니다.

 

고 위원장은 “다만 전세대출과 관련해 금리나 보증문제 또 갭투자를 유발한다는 지적이 있으니 이 부분에 대해선 관리를 해나가려 한다"고 덧붙였습니다.

 

고 위원장은 추가대책 내용에 대한 홍성국 더불어민주당 의원(세종 갑)의 질문에 “상환 능력 심사 강화와 관련해 DSR 규제 시행 시기를 당기는 문제, 제2금융권의 가계대출 관리를 강화하는 문제, 부채의 질적 개선 부분을 담으려고 한다"고 답했습니다.

 

금융당국은 1800조 원을 넘어선 가계부채를 억제하기 위한 추가대책을 오는 26일 발표할 예정입니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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