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‘국내 반도체 생산 안정화’…정부, 파운드리 지원책 마련

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Thursday, November 18, 2021, 17:11:30

내년부터 ’IP 공동구매 플랫폼‘ 구축
중견·중소 팹리스 공동 R&D 과제에 최대 40억 지원

 

 

 

인더뉴스 이수민 기자ㅣ중소벤처기업부가 시스템반도체 중소 팹리스(반도체 설계 업체)의 초기 투자 비용을 낮추기 위해 내년부터 설계자산(IP) 공동구매 플랫폼을 구축한다고 18일 밝혔습니다.

 

중기부는 국내 모든 파운드리(위탁생산업체)가 참여하는 '대·중·소 상생협의체'를 출범시켜 대기업인 파운드리와 중소 팹리스 간 협력도 강화합니다.

 

팹리스는 시스템반도체 분야에서 경쟁력의 원천이지만 초기 투자 비용이 높고 안정적인 판로를 확보하기 어려워 정부 지원이 꾸준히 요구돼왔습니다. 글로벌 반도체 공급난 여파로 파운드리가 중소 팹리스의 시제품 공정을 줄일 수 있다는 우려도 나옵니다.

 

중기부는 중소 팹리스의 초기비용을 줄여주기 위해 '공동 IP 플랫폼'을 구축하기로 했습니다. 팹리스가 제품을 개발하려면 IP와 설계 자동화 소프트웨어가 필요하지만 현재 국내에선 이를 개발할 여건이 미흡해 외국산에 의존 중입니다.

 

중기부는 내년부터 반도체 관련 전문성을 보유한 기관을 공동 IP 플랫폼으로 지정하고 IP 공동구매와 국내 개발을 추진한다는 계획입니다. 또 팹리스 설계인력 부족 문제 해소를 위해 내년 상반기 단기 교육과정을 신설하고 중기부 창업보육센터에 실습공간 '팹리스 랩 허브'를 마련할 예정입니다.

 

정부 혁신분야창업패키지 사업에 선정된 유망한 팹리스 스타트업에 대해서는 운전자금 대출 규모를 기존 최대 5억원에서 10억원으로 늘립니다. 발주 물량이 적어 팹리스의 '묶음발주' 제도도 내년에 도입하기로 했습니다.

 

정부는 내년 1월 국내 모든 파운드리가 참여하는 대·중·소 상생협의체를 출범시켜 팹리스의 시제품 위탁 수요를 정기적으로 조사하고 파운드리 공정에 반영할 계획입니다.

 

중기부는 대기업·공공기관이 내놓은 과제를 스타트업이 도맡는 상생협력 프로그램, 대-스타 해결사 플랫폼'의 범위도 시스템반도체 분야로 확대합니다. 현재까지 발굴한 8개 과제를 중심으로 내년부터 이들을 본격적으로 지원할 계획입니다.

 

수요를 확보한 중견 팹리스의 연구·개발 과제에는 4곳 이하 중소 팹리스가 공동 참여하는 '컨소시엄형 기술개발사업'도 시행됩니다. 정부는 내년에 과제 10개를 선정해 4년간 최대 40억원을 지원할 방침입니다.

 

권칠승 중기부 장관은 "이번 대책으로 대·중·소가 생생해 중소 팹리스의 파운드리 수급난을 해소하고 설계·생산·판매의 전 과정을 지원하는 체계를 마련했다”고 말했습니다.

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이수민 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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