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역동적 주행·우아한 여정…제네시스, ‘G90’ 디자인 공개

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Tuesday, November 30, 2021, 13:11:41

플래그십 세단 G90 완전 변경 모델
세단·롱휠베이스 두 가지 출시 예정

 

인더뉴스 장승윤 기자ㅣ제네시스 브랜드의 고급 플래그십 세단 신형 G90가 모습을 드러냈습니다.

 

제네시스는 30일 G90 완전 변경 모델의 외장 디자인을 최초로 공개하고 다음달 중순 계약을 시작한다고 밝혔습니다. 세단과 롱휠베이스 두 가지로 출시되며 차량의 상세 사양은 계약 시작 시점에 공개할 예정입니다.

 

G90는 2018년 부분변경 모델 출시 이후 3년 만에 완전변경 모델로 선보이는 플래그십 세단입니다. 차명은 제네시스(Genesis)의 G와 초대형 차급을 의미하는 숫자 90을 합친 것입니다. G90는 지금까지 제네시스의 디자인 정체성 ‘역동적인 우아함’을 반영한 차종 중 가장 우아한 외관을 갖췄다는 설명입니다. 

 

제네시스는 ▲새로운 크레스트 그릴과 두 줄 램프로 제네시스 엠블럼을 형상화한 전면부 ▲고급 세단의 인상을 주는 파라볼릭 라인과 개방감을 고려한 포물선 형태의 라인(DLO)이 조화를 이룬 측면부 ▲얇고 긴 두 줄의 리어램프와 안정감 있는 모습의 후면부로 G90의 외장 디자인을 그려냈습니다.

 

 

전면부의 크레스트 그릴은 두 층의 지-매트릭스 패턴을 엇갈리게 쌓아 올린 ‘레이어드 아키텍쳐’가 적용됐습니다. 그릴 양 옆에 위치한 두 줄의 헤드램프는 MLA 기술이 적용된 하향등 렌즈와 주간 주행등 렌즈, 상향등 렌즈를 교차 배열해 제네시스가 선보이는 가장 얇은 두께의 ‘두 줄 디자인’을 구현했습니다.

 

또 ▲후드와 펜더를 하나의 패널로 구성, 패널 사이의 이음새를 최소화해 시각적 간결함을 완성한 ‘클램쉘 후드’ ▲두께를 80% 가까이 줄여 돌출부가 줄어든 ‘기요셰 패턴 엠블럼’으로 고급 세단의 이미지를 연출합니다. 

 

측면부는 창문 하단부를 따라 트렁크까지 하나의 선으로 이어지는 ‘파라볼릭 라인’과 휠을 감싸고 있는 펜더의 ‘애슬래틱 파워 라인’이 역동적인 느낌의 차체 볼륨과 어울립니다. 앞·뒷좌석 창문을 감싸고 있는 DLO는 두터운 C필러와 조화를 이루며 뒷좌석 개방감과 프라이버시를 동시에 확보했습니다.

 

후면부는 제네시스 디자인의 핵심 요소인 두 줄의 리어 콤비램프가 트렁크를 따라 길게 이어져 있으며, 두 줄 사이에 제네시스 레터링 엠블럼을 간결하게 배치했습니다. 번호판·각종 센서·후진등과 같은 기능적 요소는 하단부로 내렸습니다.

 

 

G90 롱휠베이스는 세단 대비 긴 전장을 바탕으로 뒷좌석 도어와 C필러를 확장해 여유로운 내부 공간을 확보했으며 롱휠베이스 전용 20인치 휠을 적용했습니다. 아울러 창문을 감싸고 있는 DLO와 B필러에 크롬 소재를 사용했습니다. 제네시스는 G90를 앞세워 글로벌 시장에서도 영향력을 확대할 계획입니다.

 

이상엽 제네시스 글로벌 디자인 담당 전무는 “제네시스는 G90를 통해 고유한 방식으로 재정의한 플래그십 고급 세단의 디자인 경험을 제시할 것”이라며 “G90는 역동적인 주행과 우아한 여정을 동시에 만족시키는 세심한 균형을 보여줄 것이다”라고 말했습니다. 

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장승윤 기자 weightman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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