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4차 사전청약 마감…고양 창릉 84㎡ 경쟁률 ‘165.7대 1’

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Monday, January 24, 2022, 14:01:10

총 1만3552가구 모집에 13만5907명 접수..경쟁률 10대 1
공공분양, 3기 신도시 강세..신희타는 서울 대방 ‘압도적’

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ고양 창릉, 남양주 왕숙 등 3기 신도시를 비롯해 수도권 12곳서 총 1만 3552가구를 대상으로 진행한 4차 사전청약에 13만5907명이 접수한 것으로 나타났습니다. 특히, 고양 창릉 공공분양 전용 84㎡는 청약자들의 뜨거운 관심 속에 165.7대 1의 최고 경쟁률로 집계됐습니다.

 

국토교통부는 24일 2021년 4차 공공분양 사전청약 접수를 마감한 결과 총 1만3552가구 모집에 13만5907명이 접수하며 평균 경쟁률 10대 1을 기록했다고 밝혔습니다.

 

공급 유형별로 살펴보면 공공분양은 6400가구 모집에 11만707명이 접수해 17.3대 1을, 신혼희망타운은 7152가구 모집에 2만5200명이 청약하며 3.5대 1의 경쟁률을 나타냈습니다.

 

공공분양의 경우 3기 신도시가 두드러진 청약 경쟁률을 나타냈습니다. 고양 창릉이 1125가구 모집에 4만 1219명이 접수하며 36.6대 1로 가장 높았으며, 남양주 왕숙이 19.7대 1(1601가구 모집, 3만1505명 접수)로 뒤를 이었습니다.

 

특히, 고양 창릉 공공분양 전용 84㎡의 경우 78가구 모집에 1만2921명의 청약통장이 몰리며 165.7대 1로 경쟁이 가장 치열했습니다. 3기 신도시라는 특화된 입지조건에 국평이라 불리는 이른바 32평형의 전용면적인데다 서울로의 접근성도 편리하다는 이점으로 청약자들이 몰린 것으로 분석됩니다.

 

신혼희망타운은 유일한 서울권 공급으로 ‘서울 프리미엄’을 안은 서울 대방지구가 최고 경쟁률을 나타냈습니다. 전용 55㎡ 단일면적 115가구 공급에 7693명의 청약 접수자가 몰리며 66.9대 1의 경쟁률을 기록하며 역대 최고 경쟁률을 경신했습니다.

 

연령별로 접수건수를 세분화해 볼 경우 공공분양은 30대가 42.2%로 가장 많았으며 40대(27.7%)로 뒤를 이었습니다. 신혼희망타운은 10명 중 7명이 30대(73.6%)인 것으로 조사됐습니다. 접수자의 거주지역을 살펴보면 경기·인천이 64.4%로 가장 많았으며 서울은 35.5%로 나타났습니다.

 

국토부는 신청자의 청약통장 적정여부 확인 등을 거쳐 청약자격별 선정방식에 따라 오는 2월 17일 당첨자를 우선 발표할 계획입니다. 또, 소득·무주택 등 기준에 부합하는지를 추가로 심사해 당첨자를 확정할 예정입니다.

 

김수상 국토교통부 주택토지실장은 “네 번째 공공분양 사전청약도 국민들의 높은 관심 속에 성황리에 마감됐다”며 “올해는 공공·민간 사전청약을 통한 약 7만 가구의 대규모 공급으로 총 46만 가구의 주택을 공급해 무주택 실수요자들의 내 집 마련 기회를 조기화하고자 노력하겠다”고 말했습니다. 

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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