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계룡건설 컨소시엄, ‘엘리프 세종 6-3’ 공공분양 164.03대 1 마감

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Tuesday, March 08, 2022, 16:03:48

총 84가구 모집에 1만3779명 접수
전용 84㎡ A타입 281.88대 1 최고 경쟁률

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ계룡건설 컨소시엄이 세종 행정중심복합도시 6-3생활권에 공공분양으로 공급한 ‘엘리프 세종 6-3’이 164.03대 1이라는 높은 경쟁률로 1순위 전 타입 청약 마감에 성공했습니다.

 

관망세, 매물 적체 현상 등이 지속되며 32주 연속 아파트 값이 내려가는 지역 상황 속에서도 시세보다 저렴하게 분양가가 책정되는 공공분양이라는 이점과 풍부한 인프라를 단지 인근에서 누릴 수 있다는 장점으로 청약 열기가 고조된 것으로 전망됩니다.

 

8일 한국부동산원 청약홈에 따르면, 엘리프 세종 6-3 단지의 공공분양 1순위 청약접수 결과 84가구 모집에 1만3779명이 접수하며 평균 164.03대 1의 경쟁률을 나타냈습니다. 전용 84㎡ A타입은 17가구 모집에 4792명의 청약 통장이 몰리며 281.88대 1의 최고 경쟁률로 집계됐습니다.

 

단지는 행정중심복합도시 6-3생활권 일원에 지하 2층~지상 29층, 16개동, 전용 46~84㎡, 총 1035가구 규모로 조성됩니다. 전용면적 74·84㎡ 560가구는 공공분양으로, 46·55㎡ 316가구는 신혼희망타운으로 공급됩니다. 입주는 오는 2025년 1월로 예정돼 있습니다.

 

최고 경쟁률을 기록한 84㎡ A타입을 제외한 타입 별 접수 현황을 살펴보면, 74㎡ A타입은 50가구 모집에 5494명이 청약하며 109.88대 1을, 84㎡ B타입은 17가구 모집에 3493명의 청약 통장이 접수되며 205.47대 1의 경쟁률로 집계됐습니다. 

 

계룡건설 측은 공공분양으로 공급돼 합리적인 분양가로 책정된 데다 입주민의 편리한 생활을 돕기 위해 설계에도 세심히 신경썼다고 설명했습니다.

 

단지는 남향 위주 배치와 넓직한 동간거리 확보 등을 바탕으로 조망권과 일조권 향상에 초점을 맞췄습니다. 단지 내부에는 놀이마당, 건강마당, 테마정원 등 풍부한 특화조경과 피트니스, 실내골프연습장, 공유오피스, 펫하우스 등이 조성되는 커뮤니티도 들어섭니다.

 

복합도시 일원에 공급돼 생활 인프라도 다양하게 갖춰져 있습니다. 대형마트, 의료기관, 상업시설 등이 인접하며, BRT 정류장과 주요 도로도 인근에 위치해 타 지역으로의 원활한 이동을 도울 것으로 기대됩니다. 또, 근린공원 등 녹지로 단지가 둘러싸여 쾌적한 환경 속에서 생활이 가능할 것으로 예상됩니다.

 

분양 관계자는 “공공분양으로 공급되는 단지라는 이점과 함께 편리한 생활 인프라, 쾌적한 자연환경을 동시에 누릴 수 있는 환경에 조성돼 수요자들의 많은 관심을 받은 것으로 예상한다”이라며 “10일부터 11일까지 진행되는 신혼희망타운 청약에도 많은 수요자가 몰릴 것으로 기대된다”고 말했습니다.

 

청약 당첨자 발표는 오는 15일로 예정돼 있으며, 4월 18일부터 24일까지 정당계약이 진행될 예정입니다. 신혼희망타운 청약접수의 경우 오는 10일부터 11일까지 LH청약센터에서 진행됩니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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