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윤 당선인, 용산에서 임기 시작…대통령실 이전 공식화

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Sunday, March 20, 2022, 21:03:42

20일 기자회견 열고 대통령실 용산 국방부 내 이전 공식 발표
광화문 이전, 검토 결과 쉽지 않아, 청와대 일반 개방
5월 10일 임기 시작 동시에 용산에서 근무

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ"청와대는 임기 시작인 5월 10일에 개방하여 국민들께 돌려드리겠다."

 

윤석열 대통령 당선인이 20일 오전 서울 종로구 삼청동 대통령직인수위원회 회견장에서 기자회견을 열고 대통령실 용산의 국방부 관내 이전 방침을 발표했습니다.

 

윤 당선인은 "어려운 일이지만 국가의 미래를 위해 내린 결단"이라며 대통령실 용산 이전을 공식화 했습니다.

 

윤 당선인은 "용산 대통령 집무실 1층에는 프레스센터를 설치해 수시로 언론과 소통하겠다"며 "청와대 직원 수는 줄이고 민관합동위원회 사무국·회의실을 가급적 많이 만들겠다"고 말했습니다.

 

대통령 관저는 한남동 공관을 사용하겠다고 밝혔습니다. 윤 당선인은 한남동 관저에서 집무실까지 이동으로 시민 불편이 초래될 수 있다는 우려에 대해 "교통 통제하고 들어오는 데 3∼5분 정도 소요될 것으로 예상한다"며 "시간을 적절히 활용하면 시민들에게 큰 불편은 없을 것"이라고 말했습니다.

 

대통령 집무실이 들어설 용산 구역 내에 관저나 외부 손님용 시설(영빈관)을 신축하는 방안도 장기 과제로 검토하겠다고 밝혔습니다.

 

윤 당선인은 "장기적으로는 관저나 외부 손님을 모실 시설을 만드는 것이 좋지 않나 생각하고, 지금은 그런 것까진 고려하고 있지 않다"고 말했습니다.

 

이에 따라 대통령 집무실을 청와대에서 용산 국방부 청사로 옮기고 윤 당선인은 5월 10일부터 새 용산 집무실에서 대통령 임기를 시작할 예정입니다.

 

대통령 집무실을 용산 국방부 내로 옮기면서 청와대는 국민에게 개방될 예정입니다. 윤 당선인은 용산 대통령 집무실 주변에도 공원을 조속히 조성해 국민과 소통을 강화하겠다고 강조했습니다.

 

애초 공약이었던 '광화문 시대'를 지키지 못한 이유에 대해 윤 당선인은 "최소한의 경호 조치에 수반되는 광화문 인근 시민들의 불편이 매우 심각한 것으로 파악됐다"며 "청와대 내 일부 시설의 사용 역시 불가피해 청와대를 시민들에게 완전히 돌려드리는 것이 어렵다고 판단했다"고 해명했습니다.

 

반면 '용산 집무실'에 대해 윤 당선인은 "용산 국방부와 합참 구역은 국가 안보 지휘 시설 등이 구비돼 있어 청와대를 시민들께 완벽하게 돌려드릴 수 있고 경호 조치에 수반되는 시민들의 불편도 거의 없다"고 설명했습니다.

 

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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