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금호석화, ‘1500억 규모’ 자사주 소각…주주환원 박차

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Monday, March 21, 2022, 10:03:04

3개 증권사와 소각 위한 자사주 매입 신탁계약 체결
자사주 매입 후 소각 통해 주주들에 환원 모색
배당 ‘사상 최대’..보통주·우선주 전년 比 2배 이상 증가

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ금호석유화학[011780]이 자사주 매입 신탁을 바탕으로 주주환원에 속도를 내고 있습니다. 

 

21일 금호석유화학에 따르면, 주주환원 1500억원의 소각목적 자사주 매입 신탁계약을 체결하고 약 6개월간 소각 목적의 1500억원의 자사주 매입에 돌입합니다. 매입 완료 후에는 이사회를 통한 세부적인 결의 및 공시를 거쳐 전량이 이익 소각됩니다. 신탁을 통한 매입은 미래에셋증권, 삼성증권, 신영증권 등 3개 증권사와 진행합니다.

 

자사주를 매입해 소각하는 과정은 기업의 대표적 주주환원정책 중 하나로 꼽히고 있습니다. 시장의 유통 주식 수가 줄어들고 그만큼 주주의 주당 순이익(EPS)이 증가하는 효과가 있기 때문입니다.

 

금호석유화학은 지난 해 NB라텍스를 비롯한 고부가 제품의 글로벌 수요 확대에 전략적으로 대응해 최대 규모의 매출액과 영업이익을 달성한 바 있습니다. 특히 NB라텍스는 지난 2007년 박찬구 회장이 성장 가능성을 눈여겨본 후 선제적으로 돌입한 사업 분야로 14년만에 성과를 창출했습니다.

 

금호석유화학 관계자는 “지난 한 해 신뢰와 격려를 보내주신 주주에게 더욱 큰 보답을 하는 차원에서 이번 자사주 매입 및 매입분 전량 소각을 결정하게 됐다”고 설명했습니다.

 

아울러, 금호석유화학의 올해 배당은 사상 최대 규모가 될 것으로 보입니다. 금호석유화학은 오는 25일 예정된 제 45기 정기주주총회를 앞두고 보통주 1만원, 우선주 1만50원의 역대 최대 규모의 배당을 제안한 바 있습니다. 이는 지난 해 보통주 기준 주당 4200원, 우선주 주당 4250원에 비해 각각 두 배 이상 증가한 금액입니다. 

 

매입 및 소각이 예정된 자사주 금액과 배당총액을 더하면 총 4309억원으로, 별도 당기순이익의 약 43.7%에 해당하는 금액이자 금호석유화학 역사상 최대 규모입니다.

 

최근 글로벌 양대 의결권 자문사 ISS와 글라스루이스는 보고서를 통해 금호석유화학의 주주친화정책을 긍정적으로 평가하며 올해 회사 측 주주총회 안건에 전부 찬성을 권고했습니다. 한국ESG연구소도 회사의 주주환원 계획을 상회하는 수준이라며 찬성을 권고했습니다.

 

백종훈 금호석유화학 대표는 “앞으로도 다양한 방식을 통해 지속 가능한 주주환원정책을 실시할 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 말했습니다. 

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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