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서울 ‘힐스테이트 세운 센트럴’ 1순위 청약 마감…경쟁률 27.11대 1

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Wednesday, April 20, 2022, 17:04:08

1단지 49㎡F형, 79.23대 1로 타입 별 최고 경쟁률 기록

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ현대엔지니어링이 서울 중구 세운재정비촉진지구에 공급한 '힐스테이스 세운 센트럴'이 1순위 해당지역 청약을 진행한 결과 평균 27.11대 1의 경쟁률을 기록하며 전 타입 마감에 성공했습니다.

 

20일 한국부동산원 청약홈에 따르면 '힐스테이트 세운 센트럴' 2개 단지 총 298가구에 대한 1순위 해당지역 청약 접수 결과 총 8080명이 청약을 넣은 것으로 집계됐습니다.

 

해당 단지는 세운재정비촉진지구에 지하 8층~지상 27층, 2개 단지, 전용 39~59㎡, 총 1022가구 규모의 주상복합 단지로 조성됩니다.

 

단지별 청약 현황을 살펴보면 1단지는 123가구 모집에 4026명이, 2단지는 175가구 모집에 4054명이 청약을 넣은 것으로 조사됐습니다. 경쟁률로 볼 경우 1단지는 32.73대 1, 2단지는 23.16대 1입니다.

 

타입별 최고 경쟁률은 1단지 49㎡F형인 것으로 나타났습니다. 해당 타입은 13가구 모집에 1030명의 청약자가 몰리며 79.23대 1의 가장 높은 경쟁률을 기록했습니다. 2단지 49㎡D형과 1단지 59㎡A형도 각각 4가구, 23가구 모집에 222명, 1071명이 청약을 접수한 것으로 나타나며 55.5대 1, 46.57대 1의 높은 경쟁률을 보였습니다.

 

단지 별 분양가의 경우, 1단지는 ▲41㎡A 5억8620만~6억5430만원 ▲46㎡C 6억7220만~7억4900만 ▲49㎡F 7억7290만~8억5410만원 ▲59㎡A·B·C 9억130만~10억5720만원으로 형성돼 있습니다.

 

2단지는 ▲39㎡A 6억1990만원 ▲42㎡A 5억9490만~6억6290만원 ▲45㎡B 6억5320만~7억4970만원 ▲49㎡A·B·C·D 7억990만~8억4800만원 ▲56㎡A 9억3420만~9억5260만원 ▲59㎡A·B·C 9억1870만~10억1580만원으로 책정됐습니다.

 

당첨자 발표는 1단지는 오는 27일, 2단지는 28일에 발표할 예정이며 정당계약일은 1·2단지 모두 오는 5월 10일부터 14일까지입니다. 입주는 오는 2023년 2월로 예정돼 있습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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