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“서울대~여의도 16분 주파”…서울 신림선 경전철, 28일 개통

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Tuesday, May 24, 2022, 16:05:45

총 7.76km·11개 역사 조성..출·퇴근시간 운행간격 3.5분
서울대~여의도 이동시간 50분→16분 ‘획기적 단축’
서울 지하철 1·2·7·9호선과 환승 가능..각지 이동 원활

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ서울 관악구 서울대학교에서 여의도까지 이동시간을 획기적으로 단축해 줄 신림선 경전철이 오는 28일 오전 5시 30분 첫 운행을 시작합니다.

 

24일 국토교통부 대도시권광역교통위원회에 따르면, 오는 28일 서울 영등포구 여의도 샛강역과 관악구 관악산역(서울대학교)까지 7.76km, 11개 역사를 연결하는 도시철도 신림선이 지난 2017년 3월 착공 이후 5년여 만에 개통됩니다.

 

신림선의 첫차는 오전 5시 30분이며 막차는 0시로 계획돼 있습니다. '러시 아워'인 출·퇴근시간에는 3.5분, 평시에는 4~10분의 간격으로 운행됩니다.

 

국토부 측은 신림선 개통에 따라 서울 서남부 지역의 교통혼잡 해소는 물론 시민들의 출퇴근시간이 대폭 단축될 것으로 내다보고 있습니다. 또한 서울 지하철 1, 2, 7, 9호선과 환승도 가능해 서울 각 지역으로의 이동이 한 층 원활해질 것으로 기대하고 있습니다.

 

기존 관악산역에서 여의도 샛강역까지 이동할 경우 지하철과 버스 환승을 통해 약 50분이 소요됐으나 신림선을 이용할 경우 약 16분으로 크게 단축됩니다. 서울 지하철 4개 노선과 환승할 수 있는 역의 경우 대방역(1호선), 보라매역(7호선), 신림역(2호선), 샛강역(9호선)입니다.
 
신림선에는 국토교통과학기술 연구개발(R&D)을 통해 개발된 한국형 표준 고무차륜 경전철(K-AGT) 및 한국형 열차제어시스템(KTCS-M, 도시철도용) 등 국산 기술이 다수 적용됐습니다. 한국형 열차제어시스템은 신림선에 국내최초로 적용된 기술이며, 이를 통해 신림선은 모든 구간 무인운전으로 운행됩니다.

 

대도시권광역교통위원회는 ‘수도권 30분내 출퇴근’ 실현 및 촘촘한 대중교통망 구축을 위해 철도, BRT, 환승시설 및 광역버스 준공영제, 알뜰교통카드 등 다양한 광역교통 사업들을 차질 없이 진행할 예정입니다.

 

백승근 국토교통부 대도시권광역교통위원회 위원장은 "이번 신림선 개통이 서울 서남권에 활력을 불어넣길 기대한다"며 "앞으로도 서울을 비롯한 지자체와 긴밀히 협력해 광역교통망을 차질 없이 확충해 국민들께 ‘여유로운 아침, 넉넉한 저녁’을 돌려드리기 위해 최선을 다하겠다"고 말했습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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