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롯데건설, 이달 ‘원당역 롯데캐슬 스카이엘’ 629가구 분양

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Monday, June 13, 2022, 13:06:25

역세권 단지로 교통 인프라 수월..생활 인프라도 잘 갖춰져

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ롯데건설은 이달 경기도 고양시 덕양구 성사동 원당4구역 일대에 ‘원당역 롯데캐슬 스카이엘’를 분양할 예정이라고 13일 밝혔습니다.

 

단지는 지하 6층~지상 36층, 11개 동, 전용면적 35~84㎡, 총 1236가구 규모의 대단지로 조성됩니다. 일반 분양으로는 전용면적 35~59㎡, 629가구가 공급됩니다.

 

롯데건설 측은 우수한 교통 환경과 풍부한 개발 호재, 다양한 생활 인프라 등을 갖춘 단지라고 설명했습니다.

 

우선 단지는 수도권 전철 3호선 원당역이 인접한 역세권 단지로 서울 핵심지역 접근이 원활하며 가까운 곳에 고양은평선 고양시청역도 계획돼 있어 교통 여건이 더 좋아질 전망입니다. 고양시청역에는 식사트램, 교외선 등도 예정돼 있습니다. 수도권제1순환고속도로, 서울문산고속도 가까워 주변 및 수도권 지역으로의 이동이 수월한 것도 장점입니다.

 

생활 인프라의 경우 대형마트, 전통시장, 창고형 대형 매장 등 다양한 쇼핑시설이 인근에 자리잡고 있으며 고양시청, 고양소방서 등 주요 관공서도 가까워 입주민들이 생활 편의가 높아질 것으로 예상되고 있습니다. 문화시설인 고양어울림누리와 함께 체육공원, 근린공원, 자전거공원 등 풍부한 녹지도 인접합니다.

 

각종 개발 호재도 눈에 띄는 요소입니다. 단지 인근에는 고양시청 신청사 이전 사업이 추진 중이다. 해당 사업은 총사업비 2950억원, 연면적 7만3946㎡ 규모이며 여러 지역으로 떨어져 있는 고양시의 부처들을 한곳으로 이전하는 것이 골자로 오는 2023년 착공을 시작해 2025년 준공할 계획입니다. 고양시민들을 위한 작은 도서관, 주민커뮤니티센터 등 편의시설도 조성됩니다.

 

제1호 국가시범지구로 선정된 성사혁신지구 사업도 진행 중에 있습니다. 혁신지구 사업은 원당역 환승주차장이었던 부지를 활용해 주거·산업·행정·생활 SOC 기능이 집적된 복합거점을 조성하는 사업으로 지난해 11월에 착공해 오는 2024년 준공을 목표로 하고 있습니다. 아울러, 원당4구역 내 도서관, 경로당, 가족센터, 노인복지시설을 갖춘 원당 복합커뮤니티센터도 2025년 조성될 예정입니다.

 

단지 내외부는 롯데건설의 특화 설계가 적용됩니다. 가구에서 누리는 시간의 가치가 상승할 수 있도록 실내 공간에 뉴캐슬 인테리어 스타일을 도입할 예정입니다.

 

‘도심 속 리조트에서 느껴지는 여행의 설렘’이라는 컨셉의 조경 공간도 갖춰집니다. 중앙녹지인 그리너리 필드를 비롯해 스파클링 가든, 가족 정원인 코지 가든, 야외 운동 공간인 웰니스 가든 등이 구성될 예정이며, 단지와 바로 연결되는 소공원도 조성돼 입주민들은 쾌적한 주거생활을 도울 계획입니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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