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포스코케미칼, GM 전기차 양극재 수주…13.7조 규모

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Thursday, July 28, 2022, 10:07:22

GM 양극재 공급계약 규모 21.8조 돌파
광양서 전기차 배터리용 하이니켈 양극재 생산

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ포스코케미칼[003670]은 미국 제너럴 모터스(이하 GM)과 약 13조7696억원 규모의 양극재 공급 협약을 체결했다고 28일 밝혔습니다.

 

양극재는 전기차 배터리의 핵심으로 꼽히는 소재입니다. 협약에 따라 포스코케미칼은 오는 2023년부터 2025년까지 3년간 광양공장에서 생산한 하이니켈 양극재를 GM과 LG에너지솔루션의 배터리 합작사인 얼티엄셀즈에 공급합니다.

 

이번 공급 체결에 따라 포스코케미칼은 GM에서 수주한 총 양극재 규모가 21조8000억원을 돌파하게 됐습니다. 포스코케미칼은 지난 5월 GM과 캐나다 퀘벡에 설립한 합작사인 얼티엄캠을 통해 연산 3만톤 공장에서 생산한 양극재를 오는 2025년부터 8년 간 얼티엄셀즈에 공급하는 8조389억원 규모의 계약을 체결한 바 있습니다.

 

포스코케미칼은 광양공장의 연산 6만톤, 캐나다 공장의 연산 3만톤을 합한 9만톤 공급 체제를 운영합니다. 향후에는 북미 합작사에 생산라인 증설도 추진해 GM의 전기차 사업 확대와 이에 따른 수주에 대응할 예정입니다.

 

포스코케미칼은 북미 현지와 국내에서 대규모 공급 계약을 연이어 맺으며 GM과 협력을 더욱 강화하고, 북미에서 전기차 배터리소재 핵심 공급자로 올라설 것으로 기대하고 있습니다. 북미에서 연 100만대 이상의 전기차 생산체제 확보를 목표로 잡고 있는 GM은 파트너십을 바탕으로 전기차 배터리 핵심소재의 안정적 공급망을 구축하게 됐습니다.

 

포스코케미칼 관계자는 "앞으로도 GM과 함께 북미 합작사를 중심으로 중간 원료인 전구체 공장 신설, 양극재 공장 증설과 함께 양·음극재에 대한 추가 공급 계약도 체결하는 등 전기차 배터리 핵심소재 글로벌 공급망 구축을 위해 협력을 확대할 방침"이라고 말했습니다.

 

포스코케미칼은 지난 27일 이사회를 열고 3,262억원을 투자해 광양공장 내에 연 4만5000톤 규모의 양극재용 전구체 생산설비를 증설하기로 결정했습니다.

 

전구체는 양극재 원가의 60% 이상을 차지하는 중간 원료로 니켈·코발트·망간·알루미늄 등의 광물을 가공해 제조되며 양극재의 성능, 수익성, 공급 안정성에 중요한 역할을 하는 요소입니다. 생산설비는 올해 착공에 들어가 오는 2024년 완공할 계획입니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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