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LG화학, 네 번째 ‘탄소나노튜브’ 공장 짓는다

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Tuesday, August 30, 2022, 09:08:18

2024년 하반기까지 충남 대산공장에 CNT 4공장 건설
총 6100톤으로 증가, 국내 압도적 1위 생산능력 확보
단일라인 기준 세계 최대 규모

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣLG화학이 국내 최대 규모의 CNT(Carbon Nanotube) 공장을 증설, CNT 생산량을 확대한다고 30일 밝혔습니다. 

 

CNT는 전기와 열 전도율이 구리 및 다이아몬드와 동일하고 강도는 철강의 100배에 달하는 차세대 소재입니다. 전기차 배터리, 전도성 도료, 자동차 정전도장 외장재, 면상발열체 등 활용 범위가 매우 넓은 것이 특징 입니다. 

 

LG화학은 지난해 상업가동을 시작한 2공장 및 올해 초 착공에 들어간 3공장에 이어 대산공장에 연산 3200톤 규모의 네 번째 CNT 공장을 건설할 계획입니다. 양극재 등 전기차 배터리 소재를 중심으로 급성장중인 글로벌 CNT 시장에서 확고한 경쟁 우위를 선점하기 위해서 입니다. 

 

CNT 4공장이 완공되면 LG화학의 CNT 생산능력은 기존의 1·2공장(여수 1700톤)과 현재 증설 중인 3공장(여수 1200톤)을 포함해 연간 총 6100톤에 달하게 됩니다. CNT 4공장은 내년 상반기 착공에 들어가 2024년 하반기 상업 가동을 목표로 합니다. 

 

LG화학은 2017년에 500톤 규모의 CNT 1공장을 처음 가동했으며, 2020년대 들어서는 시장 확대에 따라 매년 CNT 공장 증설을 진행하고 있습니다. 

 

LG화학의 CNT 공장은 자체 개발한 유동층 반응기로 생산라인당 연간 최대 600톤까지 양산 가능합니다. 이는 단일라인 기준으로는 세계 최대 규모입니다. 또 독자기술 기반의 코발트(Co)계 촉매를 사용해 배터리 품질에 영향을 줄 수 있는 자성이물 함량을 낮춰 세계 최고 수준의 품질을 구현하는 것이 큰 장점입니다. 

 

LG화학의 CNT는 글로벌 전기차 배터리 시장을 선도하고 있는 LG에너지솔루션 등 배터리 업체에 양극 도전재(Conductive Additive) 용도로 공급될 예정이며, 다양한 산업 분야로도 공급을 확대해 나갈 계획입니다. 

 

업계에서는 배터리 도전재용 CNT는 2030년 약 3조원(23억불) 규모의 시장으로 성장할 것으로 전망하고 있습니다. 이에 따라 글로벌 CNT 수요는 지난해 5000톤 규모에서 2030년 7만톤 규모로 연평균 약 30% 이상의 성장할 가능성이 큽니다. 

 

LG화학은 2011년 CNT 독자기술 개발을 위한 연구개발에 본격 착수해 2013년 20톤 규모의 파일럿(Pilot) 라인을 구축했으며, 2014년에 전도성 컴파운드 및 전지용 제품 개발 등을 시작으로 현재까지 총 300여건의 관련 특허를 보유하고 있습니다. 

  

LG화학 노국래 석유화학사업본부장은 "독자기술 기반의 제조 경쟁력과 우수한 품질로 배터리 도전재 분야에서 확고한 일등 지위를 구축하고 잠재력이 큰 신시장 개척에 박차를 가할 것"이라고 말했습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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