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금리상승 따른 은행권 이자이익 40.6조 ‘사상최대’

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Thursday, November 17, 2022, 15:11:00

전년대비 20%넘는 6.9조↑…대출증가에 예대마진
3분기 누적 당기순이익 15조원 전년비 4.8% 줄어

 

인더뉴스 문승현 기자ㅣ은행권이 올 3분기까지 40조원 넘는 사상 최대 규모의 이자이익을 본 것으로 나타났습니다.

 

17일 금융감독원이 내놓은 '2022년 3분기 기준 국내은행 영업실적(잠정)'을 보면 국내은행의 1~3분기 이자이익은 40조6000억원입니다. 지난해 같은 기간 33조7000억원과 비교해 무려 6조9000억원(20.3%) 불어났습니다.


분기별로 보면 증가폭은 도드라집니다. 올 1분기 12조6000억원, 2분기 13조6000억원, 3분기 14조3000억원으로 단계적 상승세를 보였습니다. 금리가 가파르게 오르는 가운데 대출이 늘고 예대금리차가 크게 벌어진 결과로 해석됩니다.


대출채권 등 은행의 이자수익자산(평잔 기준)은 3분기말 기준 3078조원으로 전년 동기 2784조5000억원 대비 293조5000억원(10.5%) 늘어났습니다. 금융사의 수익성을 볼 수 있는 순이자마진(NIM)은 지난해 1∼3분기 1.44%에서 올해 1∼3분기 1.59%로 0.15%포인트 올라갔습니다.


영업이익에서 이자이익을 뺀 비이자이익은 올 3분기 누적 1조7000억원으로 지난해 같은 기간에 견줘 4조5000억원(72.9%) 빠졌습니다.


비이자이익 실적이 저조한 건 자산으로 보유하던 채권가격이 급락하면서 유가증권 관련손익이 지난해 1∼3분기 1조7000억원 이익에서 올해 4000억원 손실로 돌아선 여파로 풀이됩니다. 같은 기간 수수료 이익도 4조1000억원에서 3조7000억원으로 7.7% 쪼그라들었습니다.


이와 함께 은행들의 1∼3분기 누적 당기순이익은 15조원으로 1년 전보다 8000억원(4.8%) 줄었습니다. 1분기 5조6000억원, 2분기 4조2000억원, 3분기 5조1000억원으로 증감을 오갔습니다.


은행별로 일반은행(시중·지방·인터넷은행)은 3분기 누적 당기순이익이 10조5000억원으로 지난해와 비교해 1조2000억원(13.3%) 늘면서 역대 최대 실적을 기록했습니다.


반면 특수은행의 당기순이익은 4조5000억원으로 2조원(30.6%) 감소했습니다. 특수은행에는 산업은행·수출입은행·기업은행·농협은행·수협은행이 포함됩니다.


수익성 지표인 총자산순이익률(ROA)은 1∼3분기 0.58%로 전년 동기 대비 0.10%포인트 하락하고 자기자본순이익률(ROE)은 8.10%로 0.65%포인트 떨어졌습니다.


금감원은 향후 국내은행 감독 방향에 대해 "대내외 경제 여건 악화에 따라 취약 차주를 중심으로 신용손실이 확대될 가능성에 대비해 손실흡수능력 확충을 유도할 것"이라며 "은행의 대손충당금 적립현황을 분기별로 점검하고 자본비율이 취약한 은행은 자본관리 강화를 지도하겠다"고 밝혔습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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