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삼성전자, '28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM' 출하

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Wednesday, March 06, 2019, 14:03:16

저전력 특성 공정·차세대 내장 메모리 기술 접목..파운드리 리더십 강화

인더뉴스 권지영 기자ㅣ 삼성전자가 속도가 빠르고, 가격이 저렴한 차세대 내장 메모리를 선뵀다.

 

6일 삼성전자에 따르면 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)' 솔루션 제품을 출하했다.

 

FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이다. MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성이 있는 메모리 반도체다.

 

삼성전자는 “두 기술이 합쳐져 전력을 적게 소모하고, 속도도 매우 빠르며, 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리가 만들어졌다”고 설명했다. 

 

삼성전자 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화했다. 


내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다. 

 

하지만 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면이 단점으로 지적됐다.

 

삼성전자의 '28나노 FD-SOI eMRAM' 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다.

 

또한, 비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다.

 

삼성전자의 eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있다. 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하기 때문에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다. 

 

이상현 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다" 며 "삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용해차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공해 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것" 이라고 말했다.

 

한편, 삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 '28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM' 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 진행했다.

 

삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 협력사들과 온실가스 감축 선언…스코프 전 영역에서 저감 계획

SK하이닉스, 협력사들과 온실가스 감축 선언…스코프 전 영역에서 저감 계획

2024.05.29 13:33:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 소재·부품·장비(소부장) 협력사들과 손잡고 온실가스 배출 저감 활동을 진행하는 동시에 세부 실천 방안을 도출해 실행력을 높이기로 했다고 29일 밝혔습니다. SK하이닉스는 지난 24일 경기 성남시에 위치한 두산타워에서 '에코얼라이언스(ECO Alliance) 워크숍'을 열고 온실가스 감축 공동 선언을 했습니다. 에코얼라이언스는 2019년 SK하이닉스가 친환경 반도체 생태계 조성을 위해 협력사들과 함께 만든 연합체로 SK하이닉스와 함께 48개 협력사가 회원사로 참여하고 있습니다. 이날 에어리퀴드, 솔브레인 등 28개 회원사가 재생에너지 사용, 에너지 절감 및 자원 재활용을 통한 개별 감축 목표를 발표하며 동참했습니다. SK하이닉스는 이날 스코프(Scope) 전 영역에서의 온실가스 저감 계획을 밝혔습니다. 스코프1(직접 배출) 배출량은 지구온난화지수(GWP)가 낮은 가스 개발, 공정 최적화, 스크러버 효율 개선으로 저탄소 공정을 실현해 직접 감축하고 스코프2(간접 배출)는 재생에너지 조달, 에너지 사용량 관리로 줄인다는 계획입니다. 스코프3(기타 간접 배출) 배출량은 협력사 온실가스 배출 데이터 수집과 산정 방식 고도화 등을 통해 온실가스를 감축할 예정입니다. 회원사의 지난해 온실가스 배출량 규모는 SK하이닉스 스코프3 주요 원부자재 배출량의 50% 수준으로, 이번 협업이 온실가스 배출량을 줄이는 데 기여할 것으로 기대됩니다. 스코프3은 협력사의 원부자재 공급 과정, 제품이 판매된 후 처리되는 과정 등 사업장 외부에서 발생하는 배출량을 모두 포함합니다. SK하이닉스는 회원사들이 온실가스 감축 목표를 달성할 수 있도록 ESG 펀드를 운영하고 재생에너지 정부 지원사업 참여 지원, 관련 교육과 워크숍 등도 진행키로 했습니다. 조성봉 SK하이닉스 부사장(ESG추진 담당)은 "탄소중립 실천을 위해 반도체 업계는 공급망 전반에서 협력을 해나갈 것"이라며 "온실가스 감축 실천력을 높이기 위해 에코얼라이언스를 지속 지원하면서 산업의 지속가능성을 높이도록 노력하겠다"고 말했습니다.


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