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[코스피 출발] 美·中 무역협상 불안에 약세

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Thursday, October 10, 2019, 09:10:46

 

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 10일 9시 05분 현재 코스피는 전 거래일보다 15.82포인트(0.77%) 하락한 2030.43으로 출발했다. 미중 무역협상에 대한 불안감이 반영된 것으로 풀이된다.

 

지난밤 다우지수는 181.97포인트(0.70%)가 오른 2만 6346.01로 마감했다. 10일(현지시간) 미국 워싱턴 D.C.에서 재개될 미중 고위급 무역협상에서 ‘부분합의’, 이른바 ‘스몰딜’이 성사될 수 있다는 기대 덕이다.

 

9일(현지시간) 블룸버그통신은 이번 협상에 정통한 관리를 인용해 미국이 중국에 추가관세를 부과하지 않을 경우 중국은 미국산 농산물 구매 확대 등 비핵심 쟁점에서 양보할 의향이 있다고 보도했다.

 

그러나 ‘빅딜’에 대한 가능성은 희박하다. 통신에 따르면 중국은 이번 협상에서 미국의 핵심 요구 사안인 자국의 산업정책 개혁과 보조금 지급 문제 등에 대한 논의를 거부키로 했다.

 

또한 미국 경제방속 폭스 비즈니스 네트워크는 ‘중국 상무부가 무역협상이 타결되더라도 지적재산권 보호에 대한 법규를 바꾸지 않겠다는 입장’이라고 보도했다. 지식재산권 탈취 중단을 위한 법·제도 개선이란 미국의 요구를 사실상 거부한 것이다.

 

한편 지난 7일 도널드 트럼프 미국 대통령은 ‘중국과의 부분적 무역합의를 수용할 뜻이 있느냐’는 기자의 질문에 “그건 우리가 선호하는 게 전혀 아니다”라며 “내가 선호하는 것은 이번 가을까지 ‘빅딜’(전면합의)을 이루는 것”이라고 답한 바 있다.

 

만약 이번 무역협상에서 미중 양국이 진전을 이루지 못한다면 미국은 예고한대로 2500억달러(약 300조원) 규모의 중국산 상품에 대한 관세율을 현행 25%에서 30%로 인상할 가능성이 크다.

 

이에 따라 기관은 308억 1100만원을 순매도 중이다. 반면 개인과 외국인은 각 232억 4100만원, 27억 6300만원을 순매수하고 있다.

 

시가총액 상위 10개사도 시장분위기를 반영하듯 LG화학(051910)의 보합을 제외하고는 대부분 1% 가까이 빠지며 파란불을 켰다. 이 중 SK하이닉스(000660), 현대차(005380), 현대모비스(012330), 삼성바이오로직스(207940), LG생활건강(051900)은 1% 이상 빠졌다.

 

업종별로도 전기가스업(0.69%), 비금속광물(0.14%), 의료정밀(0.08%) 등이 소폭 상승한 것을 제외하면 대부분 하락출발하는 모습을 보였다.

 

특히 보험(1.13%), 건설업(1.04%), 금융업(0.94%), 전기전자(1.00%), 증권(0.93%), 운수장비(1.00%) 등은 1% 이상 또는 가까이 빠졌다. 한편 코스닥은 0.48포인트(0.08%) 하락한 634.93를 기록했다.

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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