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GS이니마, 2조 3310억원 규모 오만 해수담수화 사업 수주

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Thursday, November 19, 2020, 16:11:35

20년간 운영권 가져..GS이니마 역대 최대 규모

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣGS건설의 자회사이자 세계적인 수처리 업체인 GS이니마가 중동 오만에서 예상 매출 2조 3310억원 규모의 초대형 해수담수화 사업을 수주했습니다.

 

GS건설은 19일 “당사가 100% 지분을 보유한 스페인 소재 자회사인 GS이니마가 오만 수전력조달청(Oman Power & Water Procurement Company, OPWP)으로부터 알 구브라 3단계와 바르카 5단계 민자 담수발전사업(IWP) 프로젝트 등 2곳에 대한 낙찰통보서(LOA)를 받았다”고 밝혔습니다. 

 

2개 프로젝트 모두 BOO(Build-Own-Operate) 사업으로 GS이니마는 금융조달 및 시공과 함께 20년간 운영을 맡게 됩니다. 예상 매출은 각각 1조 6340억원, 6970억원, 총 2조 3310여억원입니다. 

 

오만 알 구브라 3단계 민자 담수발전사업(IWP) 프로젝트는 수도 무스카트의 해변 지역에 하루 30만㎥ 규모의 RO(역삼투압) 방식의 해수담수화 플랜트를 짓는 사업입니다. 이는 매일 약 100만명에게 상수도를 공급할 수 있는 양으로 GS이니마 담수화 프로젝트 중 단일로는 최대 규모입니다. 

 

총 투자비는 2억 7500만달러이며, GS이니마는 운영권을 가지게 될 SPC 지분의 52%, EPC 지분 50%와 운영관리(O&M) 지분 51%를 갖습니다. 2021년 2분기에 공사를 시작해 34개월 완공을 목표로 2024년 2분기부터 상업운영에 들어가 20년간 운영하게 됩니다.

 

바르카 5단계 민자 담수발전사업(IWP) 프로젝트는 수도 무스카트에서 서쪽으로 약 60km 떨어진 곳에 하루 10만㎥ 규모의 해수담수화 시설을 조성하는 사업입니다. 

 

총 투자비는 1억 2900만달러이며, GS이니마는 운영권 100%와 EPC와 운영관리(O&M) 지분은 50%를 갖습니다. 상업운영은 2023년 2분기에 시작 예정입니다.

 

GS이니마는 1967년 세계 최초로 RO(역삼투압) 방식 플랜트를 건설한 이후 지속적으로 글로벌 담수화 프로젝트에 참여해 왔습니다. 앞서 GS건설은 GS이니마와 함께 세계 수처리 선진시장인 싱가포르에서 세계 최초로 개발한 ‘해수담수화 신재생에너지 혁신기술’을 상용화 공동연구를 시작했습니다. 

 

이어 지난 7월에는 수처리 기술을 바탕으로 부산시가 추진 중인 스마트양식 클러스터 조성 사업에 참여키로 하며 시너지를 강화하고 있습니다. GS이니마의 이번 수주로 GS건설이 추진 중인 신사업도 더욱 탄력을 받을 것을 전망입니다.

 

허윤홍 GS건설 신사업부문 대표는 “이번 프로젝트는 장기에 걸쳐 고정가격으로 공공부문에 담수를 판매하는 운영사업이며 이에 필요한 EPC뿐만 아니라 자본조달, O&M을 일괄 포함하여 수행하는 안정적 사업”이라며 “해수담수화 분야의 글로벌 리더로서의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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