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코로나19 신규 확진자 1241명…'역대 최다'

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Friday, December 25, 2020, 10:12:44

서울 552명-경기 264명-충남 80명-경북 67명-인천 55명-충북 42명 등

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ국내 코로나19가 급확산되면서 성탄절인 25일 신규 확진자 수는 1200명 선을 넘었습니다. 전날(985명)보다 대폭 늘어나면서 국내 코로나19 첫 확진자가 발생한 지난 1월 20일 이후 최다 기록을 세웠습니다.

 

중앙방역대책본부는 이날 0시 기준으로 코로나19 신규 확진자가 1241명 늘어 누적 5만 4770명이라고 밝혔습니다.전날(985명)보다 256명 늘어났는데요. 이는 직전 최다 기록인 지난 20일의 1097보다도 144명이 많습니다.

 

이날 신규 확진자의 감염경로를 보면 지역발생이 1천216명, 해외유입이 25명입니다.

 

지역발생 확진자는 전날(955명)보다 261명 급증했습니다. 확진자가 나온 지역을 보면 서울 550명, 경기 257명, 인천 55명 등 수도권이 644명으로, 서울 역시 최다 기록입니다.

 

비수도권에서는 충남 79명, 경북 67명, 충북 42명, 광주 35명, 부산·대구 각 21명, 제주 20명, 경남 14명, 대전·강원 각 13명, 울산·전북 각 12명, 전남 4명, 세종 1명입니다. 비수도권 지역발생 확진자는 총 354명으로, 연일 300명 안팎을 기록하고 있습니다.

 

주요 사례를 보면 수도권에서는 직장과 보육시설, 학교를 고리로 한 새 집단감염이 잇따랐습니다. 서울 마포구 보험회사에서 총 16명이 감염됐고, 강남구 콜센터 2사례와 관련해서도 15명이 양성 판정을 받았습니다. 경기 지역에선 남양주시의 한 어린이집과 관련해 10명이 확진됐고, 안양시 고등학교와 광주시 특수학교에서도 각각 13명, 17명의 확진자가 나왔습니다.

 

그 밖에도 ▲ 서울 구로구 요양병원·요양원(누적 116명) ▲ 충북 청주시 참사랑노인요양원(90명) ▲ 충북 괴산군·음성군·진천군 병원(152명) 등 기존 사례에서도 감염자가 추가로 나왔습니다.

 

해외유입 확진자는 25명으로, 전날(30명)보다 5명 줄었습니다. 확진자 가운데 6명은 공항이나 항만 입국 검역 과정에서 확인됐는데요. 나머지 19명은 경기(7명), 서울·대구·전북(각 2명), 부산·광주·강원·충남·전남·경남(각 1명) 지역 거주지나 임시생활시설에서 자가격리하던 중 양성 판정을 받았습니다.

 

유입 추정 국가를 보면 미국이 9명으로 가장 많고 이어 인도네시아 6명, 우즈베키스탄·러시아 각 2명, 필리핀·카자흐스탄·폴란드·핀란드·콩고민주공화국·니제르 각 1명입니다. 확진자 가운데 내국인이 15명, 외국인이 10명입니다.

 

지역발생과 해외유입을 합치면 서울 552명, 경기 264명, 인천 55명 등 수도권이 871명입니다. 전국적으로는 나흘째 17개 시도에서 확진자가 나왔습니다.

 

사망자는 하루새 17명 더 늘어 누적 773명이 됐으며, 국내 평균 치명률은 1.41%입니다.

 

상태가 악화한 위중증 환자는 전날보다 20명 늘어난 311명입니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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