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‘국정농단’ 파기환송심 오늘 마무리…이재용 3년 만에 최후진술

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Wednesday, December 30, 2020, 09:12:47

이재용 부회장 국정농단 파기환송심 결심 공판..3년 10개월 만에 마무리

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ4년 가까이 이어져 온 이재용 삼성전자 부회장의 ‘국정농단’ 파기환송심이 마무리됩니다. 이날 이 부회장은 국정농단 재판 관련 세 번째 최후진술에 나서는 가운데, 삼성 준법 경영 강화 의지를 밝힐지 주목됩니다.

 

30일 재계 등에 따르면 이재용 삼성전자 부회장은 이날 오후 2시5분께 서울고법 형사1부(정준영 부장판사) 심리로 열리는 국정농단 관련 뇌물공여 혐의 파기환송심 결심 공판이 열립니다.

 

결심 공판에서 특검의 구형이 내려집니다. 약 2시간에 걸쳐 변호인단의 최종 변론이 진행되며, 이후 이재용 부회장을 포함한 피고인들의 최후진술이 예정돼 있습니다.

 

이 부회장은 최후진술을 통해 지난 3년 10개월간 이어져 온 재판에 대한 소회와 심경, 삼성 준법 경영 강화 의지 등을 밝힐 것으로 전망됩니다.

 

이 부회장은 박근혜 전 대통령과 최서원(개명 전 최순실)씨에 그룹 경영권 승계 관련 청탁 대가로 300억원 상당의 뇌물을 건넨 혐의로 지난 2017년 2월 재판에 넘겨졌습니다.

 

1심은 이 부회장의 혐의 일부를 유죄로 보고 징역 5년을 선고했습니다. 이어진 항소심에서 일부 혐의가 무죄로 인정돼 징역 2년 6개월에 집행유예 4년으로 뒤집었습니다. 하지만 작년 8월 진행된 대법원은 2심에서 인정되지 않은 50억원의 뇌물·횡령액을 추가로 인정해야 한다며 판결을 깨고 다시 서울고법으로 돌려보냈습니다.

 

작년 10월부터 1년여간 파기환송심에서는 재판부가 삼성의 준법감시제도를 양형에 반영하겠다는 의지를 밝혀 특검과 대립각을 세우기도 했는데요. 특검이 재판부 변경을 요청했지만, 지난 9월 대법원이 특검의 기피신청을 기각하며 올해 10월 파기환송심 재판이 재개됐습니다.

 

이날 특검은 최소 징역 5년 이상 구형할 것으로 전망됩니다. 앞선 기일에서 특검은 “삼성 준법감시위원회의 실효성이 인정되더라도 징역 5년 이하의 형을 선고할 수 없다”고 주장했습니다. 1심과 2심에서는 각각 징역 12년을 구형한 바 있습니다.

 

이 부회장 측은 결심공판에서 뇌물공여가 수동적·비자발적임을 강조할 것으로 보입니다. 앞서 변호인단은 삼성 준법감시위의 지속가능성과 실효성 등 평가가 양형에 고려해야 한다는 취지로 재판부에 호소했습니다.

 

재판부가 준법위 활동 등을 근거로 집행유예를 유지한다면 삼성그룹의 관련한 불확실성 일부는 해소될 전망입니다. 파기환송심 선고는 결심 공판 이후 한 달 기간이 소요된 만큼 내년 1~2월 중으로 열릴 예정입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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