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금호건설, 디자인 공모 당선작 ‘세종 리첸시아 파밀리에’ 분양

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Tuesday, January 26, 2021, 10:01:28

탑상형·클러스터 혼합된 주상복합 단지

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ금호건설(사장 서재환)과 신동아건설(회장 김용선), HMG파트너스 컨소시엄이 세종 행정중심복합도시 6-3생활권 H2·H3블록에 짓는 주상복합아파트 ‘세종 리첸시아 파밀리에’ 견본주택을 열고 분양을 시작합니다.

 

이 단지는 아파트 1350가구와 오피스텔 217실, 상업시설이 함께 들어서는 주상복합아파트입니다. 블록별로 H2는 지하 3층~지상 34층, 12개동, 전용면적 59~100㎡ 아파트 770세대와 전용면적 20~35㎡ 오피스텔 130세대가 들어섭니다. H3에서는 지하 3층~지상 35층, 8개동, 전용면적 59~112㎡ 아파트 580세대, 전용면적 20~35㎡ 오피스텔 87실로 구성됩니다.

 

일반분양 물량은 H2에서 211세대, H3 165세대입니다. 중도금 40% 이자후불제 대출 혜택이 있습니다.

 

이 단지는 2020년 디자인 설계 공모 당선 아파트로 저층 클러스터 타입과 조망을 극대화할 수 있는 탑상형 배치가 어우러진 점이 특징입니다. 블록별로 랜드마크 디자인타워동은 커튼월과 돌출입면이 반영됐고, 2.6m 천장고로(일부 세대) 개방감을 느낄 수 있게 설계됐습니다.

 

단지는 4베이, 2면개방형, 판상형, 타워형, 벽체형, 문화공원변 2개층 높이의 복층형 세대, 오픈테라스, 펜트하우스 등 총 63개(아파트 59개, 오피스텔 4개)의 타입의 구조를 적용했습니다.

 

또 바람길을 고려한 주거동 배치, 옥상 스카이테라스, 드레스룸 배기, 세대 내 환기 시스템, 미세먼지 차단(헤파필터), 브러쉬청정기, 엘리베이터 살균 공기정화(대류형살균조명), 지하주차장 자동환기 시스템, 노유자시설 에어샤워(어린이집, 경로당) 등도 설치됩니다.

 

단지 인근에는 약 5만 8000㎡ 규모의 문화공원(예정)을 공유하고 단지를 연결하는 부대 복리시설이 조성됩니다. 여기에 공유주방, 평생 교육센터 등 커뮤니티 시설도 함께 들어섭니다.

 

교통편도 편리합니다. 단지 앞에 간선급행버스 BRT 해밀리정류장이 위치해 세종시 전역은 물론 KTX·SRT 오송·대전역을 통해 서울과 수도권 접근성이 좋습니다.

 

생활편의시설로는 세종시 첫 번째 종합병원인 세종충남대병원과 홈플러스, 6-4생활권의 중심상업지역 등이 가까이 있습니다. 단지 내 오픈형 테라스(일부 호실) 스트리트상가도 들어설 예정입니다.

 

청약은 오는 2월 1일 특별 공급을 시작으로 2일 1순위, 3일 2순위를 진행합니다. 당첨자 발표는 2월 9일이며, 계약은 22일~26일입니다. 중복청약은 불가능하며 전매제한은 당첨일로부터 4년입니다. 입주는 2024년 1월 예정입니다. 오피스텔 분양은 2월에 시작합니다.

 

견본주택은 세종특별자치시 대평동 264-1번지에 마련돼 있으며 코로나19 예방과 확산 방지 차원에서 사전예약제로 운영됩니다.

 

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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