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기업은행, 사모펀드 ‘중징계 칼날’ 피했다...김도진 前 행장에 ‘주의적 경고’

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Friday, February 05, 2021, 22:02:27

금감원,‘문책 경고’보다 한 단계 낮춰 ‘주의적 경고’
기업은행에 일부 정지 1개월·과태료 부과 처분

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ금융감독원이 디스커버리·라임펀드를 판매할 당시 IBK기업은행(행장 윤종원)을 이끌었던 김도진 전 행장에 대해 ‘주의적 경고’ 처분을 내렸습니다. 앞서 은행 측에 통보한 징계보다 한층 낮은 수위입니다.

 

금감원은 지난달 28일에 이어 이날 두 번째로 기업은행에 대한 제재심의위원회를 열고 기업은행에 대한 제재안을 논의했습니다. 금감원은 기업은행에 일부 정지 1개월, 과태료 부과 처분을 의결하고 금융위원회에 건의하기로 했습니다.

 

펀드 판매 당시 기업은행의 수장이었던 김도진 전 행장에 대해서는 주의적 경고 상당을, 당시 부행장에 대해서는 감봉 3개월 상당을 건의하기로 했습니다. 제재심에 앞서 김 전 행장에 대해 통보한 문책 경고 보다 한 단계 수위를 낮춘겁니다.

 

이번 결과가 은행권 징계의 바로미터라는 시각이 우세한 만큼, 제재심을 앞둔 타은행 수장들에 대한 징계 처분이 앞서 통보한 수위보다 낮아질 가능성도 흘러나오고 있습니다. 금감원은 이달 25일 우리은행(행장 권광석), 신한은행(행장 진옥동)에 대한 제재 절차에 돌입할 예정입니다.

 

금융권 최고경영자에 대한 제재는 5단계로 나눠집니다. 3단계에 해당하는 문책경고부터는 최소 3년간 금융권 취업이 제한돼 중징계로 분류되고 있습니다.

 

기업은행은 지난 2017∼2019년 디스커버리US핀테크글로벌채권펀드와 디스커버리US부동산선순위채권펀드를 각각 3612억원어치, 3180억원어치 팔았습니다. 이 펀드는 국내 운용사인 디스커버리운용이 설계해 기업은행이 대부분 판매했습니다.

 

그러나 미국 운용사가 사기 혐의로 고발되면서 자산이 동결됐고 펀드 자금으로 투자한 채권을 회수하지 못했습니다. 현재 총 914억원이 환매 지연된 상태인데, 환매 지연으로 인한 피해는 고스란히 투자자에게 전가됐습니다.

 

제재심은 금감원장의 자문기구로, 제재심의 결정이 법적 효력을 갖지는 않습니다. 심의 결과는 이후 금감원장의 결재와 증권선물위원회 심의, 금융위 의결을 통해 최종 확정될 예정입니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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