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삼성전자 갤S21 최신 기능, 갤럭시 Z폴드 2서도 즐긴다

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Thursday, February 18, 2021, 12:02:00

플래그십 스마트폰부터 원(One) UI 3.1 업데이트 18일 시작

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ최신 스마트폰 ‘갤럭시 S21’ 시리즈의 강력한 혁신 기능을 ‘갤럭시 Z 폴드2’·‘갤럭시 S20’ 시리즈에서도 즐길 수 있게 됐습니다.

 

삼성전자는 18일 국내와 유럽을 시작으로 독자적인 사용자경험(UX) 원(One) UI 3.1 업데이트를 통해 ‘갤럭시 S21’의 강력한 카메라·디스플레이·보안 등 일부 신규 기능을 기존 스마트폰에 지원합니다.

 

대상 단말은 ‘갤럭시 Z 폴드2’·‘갤럭시 Z 플립 5G’·‘갤럭시 Z 플립’·‘갤럭시 S20’ 시리즈·'갤럭시 S20 FE'·'갤럭시 노트20' 시리즈입니다. 삼성전자는 원 UI 3.1 업데이트 지원 단말과 국가를 지속 확대할 예정입니다.

 

노태문 삼성전자 무선사업부장(사장)은 “삼성전자는 최신 스마트폰 기능을 보다 빨리 더 많은 갤럭시 사용자들이 활용할 수 있도록 노력해왔다”며 “앞으로도 갤럭시를 사용하는 기간에 항상 최신 모바일 경험을 제공하고자 최선을 다할 것”이라고 말했습니다.

 

원 UI 3.1은 보다 쉽게 전문가 수준의 사진과 영상 촬영을 지원합니다. 한 번의 촬영으로 다양한 이미지와 영상을 만들어주는 싱글 테이크’는 최대 15초 동안 사진과 영상 촬영이 가능하며, 하이라이트 동영상(Highlight Reel) 등 더 다양한 효과를 지원합니다.

 

프로 비디오 모드에서는 다중 마이크 녹음을 지원합니다. 스마트폰으로 촬영하면서 갤럭시 버즈 시리즈의 마이크를 무선 마이크처럼 사용이 가능하며, 사용자의 음성과 주변 배경음을 동시에 선명하게 녹음할 수 있습니다.

 

이번 ‘갤럭시 S20’ 시리즈·‘갤럭시 S20 FE’·‘갤럭시 노트20’ 시리즈에서는 20배 줌부터 자동으로 흔들림을 잡아주는 ‘줌 락(Zoom Lock)’ 기능도 지원돼 멀리 있는 피사체도 흔들림 없이 당겨서 찍을 수 있습니다.

 

원 UI 3.1은 사진 촬영 후 완벽한 사진을 얻도록 도와주는 편집도구 ‘개체 지우기(AI 지우개)’ 기능을 제공합니다. 별도 편집 프로그램을 설치하거나 일일이 제거하고자 하는 부분을 선택하지 않고, 삭제하고자 하는 부분을 터치하기만 하면 자동으로 선택되고, 삭제할 수 있습니다.

 

이밖에 원 UI 3.1은 시간대와 사용자의 스마트폰 사용 패턴을 분석해 자동으로 블루라이트를 조정해주는 ‘편안하게 화면 보기(Eye Comfort Shield)’ 모드를 지원해 사용자의 숙면과 눈 건강에 도움을 주는데요.

 

또 공유 콘텐츠에 접근할 수 있는 사람과 확인 가능한 기간을 설정할 수 있는 ‘프라이빗 쉐어(Private Share)’ 기능을 지원합니다. 사진을 공유하기 전에 위치 정보를 삭제할 수도 있습니다.

 

갤럭시 버즈 시리즈를 갤럭시 스마트폰과 태블릿간 매번 별도로 연결하지 않아도 통화와 멀티미디어 감상을 자유롭게 이어서 즐길 수 있는 자동 전환(Auto Switch) 기능도 지원할 예정입니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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