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손태승 회장, 적극 소명에도 라임사태 ‘중징계’ …‘직무 수행’엔 영향 없다

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Friday, April 09, 2021, 09:04:31

최종 수위 낮아질 가능성…“리스크 인지 어려워”

 

인더뉴스 이진성 기자ㅣ손태승 우리금융그룹 회장이 라임자산운용 펀드 환매 중단 사태와 관련해 금융당국으로부터 중징계를 받으면서 리더쉽에 금이 간 모습입니다. 당장 직무 수행엔 무리가 없지만, 이 징계가 확정되면 다음 임기에 영향을 준다는 점에서 경징계로 낮추기 위한 그룹측의 총력 대응이 이어질 전망입니다.

 

9일 금융당국과 금융권에 따르면 전날 오후 금융감독원 제재심의위원회는 우리은행에 대한 3차 회의를 열고 펀드 판매 당시 우리은행장이었던 손 회장에게 '문책경고'를 결정했습니다. 앞서 손 회장은 금감원으로 부터 '직무정지'를 사전 통보 받았지만, 소비자 피해 노력 등이 인정돼 한 단계 경감됐습니다. 우리은행도 3개월 '업무 일부 정지'의 중징계가 결정됐습니다.

 

금융사 임원에 대한 제재 수위는 해임 권고·직무 정지·문책 경고·주의적 경고·주의 등 5단계로 나뉩니다. 이 중 '문책 경고' 이상은 3∼5년 금융사 취업을 제한하는 중징계로 분류되는데요. 최종 징계 확정 여부는 증권선물위원회 심의와 금융위원회 정례회의 의결을 통해 결정되기 때문에, 징계 수위가 더 낮아질 가능성도 있습니다.

 

살펴보면 3차 제재심에서 금감원은 우리은행이 라임 펀드 부실 알고도 펀드를 판매했다며 부당권유를 중징계 사유로 내세웠습니다. 금감원은 우리은행이 내부보고서 등을 작성해 라임 펀드의 손실 위험성을 사전에 인지했고, 손 회장 등 경영진에 보고가 됐음에도 펀드 판매를 중단하지 않았다고 봤습니다. 

 

반면 우리은행은 펀드의 손실 위험성과 부실 여부에 대한 판단은 별개라고 주장했습니다. 우리은행은 내부보고서가 작성된 것은 맞지만, 담당 부서가 펀드의 손실 위험성을 측정한 것에 불과할 뿐 부실 펀드라고 단정할 수 있는 상황은 아니라고 맞섰는데요. 해당 내용이 경영진에 보고되지 않았다는 점도 강조했습니다.

 

치열한 공방 끝에 제재심 위원들은 그동안 우리은행의 소비자 피해 회복 노력을 받아들여 손 회장의 징계수위를 한 단계 낮췄습니다. 지난해 5월 관련 규정이 개정돼 '금융거래자의 피해에 대한 충분한 배상 등 피해회복 노력 여부' 등이 참작 사유로 추가됐기 때문입니다. 우리은행은 그간 '라임 무역금융펀드 투자자들에게 원금을 전액 반환하라’는 분쟁조정위 권고를 수락했고, 라임의 손해 미확정 펀드에 대한 사후정산 방식의 분쟁조정 권고도 받아들인 바 있습니다.

 

중징계가 확정되더라도 앞으로 남은 임기인 2년간은 손 회장의 직무수행에 영향을 끼치지 않습니다. 이번 징계가 우리은행장으로 재직하던 당시 해당되는 내용이고, 또 중징계로 인한 취업제한 등은 다음 임기 등에 적용되기 때문입니다. 하지만 다음 임기와 대외적 명분 등을 고려해 그룹측은 징계 수위를 '경징계'로 낮추기 위한 노력을 이어간다는 방침입니다. 업계에서는 금융당국과 그룹간 시각차가 큰 만큼, 중징계가 확정되면 행정소송이 불가피하다는 전망도 나옵니다. 

 

우리은행 관계자는 "자본시장법상 정보취득이 제한된 판매사로서 라임펀드의 리스크를 사전에 인지할 수 없는 상황이었음을 금융위에 적극적으로 소명할 계획"이라고 말했습니다.

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이진성 기자 prolism@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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