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구현모 KT 대표, 인터넷 품질 저하 논란 공개 사과...“재발 방지” (종합)

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Wednesday, April 21, 2021, 18:04:07

구 대표, 월드IT쇼서 “인터넷 속도 논란 죄송” 직접 사과 나서
유튜버 잇섭 지적 4일 만에 홈페이지에 공식 사과문 게재
24명 추가 피해 고객에 요금감면·시스템 개선 등 약속

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ구현모 KT 대표가 최근 불거진 인터넷 속도 저하 논란에 직접 사과했습니다. 이날 오전 KT는 홈페이지를 통해 공식 사과문을 낸 데 이어 구 대표가 공개적으로 거듭 사과의 뜻을 밝혔습니다. 앞서 유명 유튜버는 KT가 고의로 인터넷 속도를 제한한다는 의혹을 제기하면서 인터넷 품질 논란에 휩싸였습니다. 

 

구 대표는 21일 오후 서울 코엑스에서 열린 월드IT쇼 2021 개막식 이후 기자들과 만나 “많은분들이 KT기가인터넷을 사랑해주셔서 감사한데, 이런 일이 벌어져 죄송스럽다”며 “최선을 다해 인터넷 품질을 만들어내도록 하겠다”고 말했습니다. 

 

이어 “KT의 기가인터넷 시설을 이전하면서 속도 설정이 잘못됐었고, 고객의 소리가 제기됐는데 응대도 잘못됐었다”며 “재발이 안되도록 하는게 중요하다”고 강조했습니다. 

 

KT는 이날 오전 홈페이지에 임직원 일동 명의로 ‘10기가 인터넷 품질 관련 사과의 말씀’이라는 제목의 게시글을 통해 “최근에 발생한 10기가 인터넷 품질 저하로 인해 불편과 심려를 끼쳐 드려 깊은 사과의 말씀을 드린다”고 사과했습니다. 

 

KT는 “품질 저하의 발생 원인을 파악한 결과, 10기가 인터넷 장비 증설과 교체 등 작업 중 고객 속도 정보 설정에 오류가 있었음을 확인했다”고 말했습니다. 

 

KT는 10기가 인터넷을 이용하는 전체 고객을 조사해 총 24명의 고객 정보에 오류가 있었던 것을 확인하고, 즉시 수정 조치를 했다고도 덧붙였습니다.


KT는 “앞으로 오류를 자동으로 파악하는 시스템을 재점검하고 보완해 인터넷 이용 고객이 불편을 겪지 않도록 하겠다”며 “속도 정보 오류가 확인된 고객들에게는 개별 안내를 드려 정해진 기준에 따라 요금을 감면해드리겠다”고 밝혔습니다.

 

앞서 유명 IT 유튜버 ‘잇섭’이 이달 18일 자신의 유튜브 채널을 통해 사용 중인 KT 10기가 인터넷 서비스의 실제 속도가 100Mbps 수준에 그친다고 주장했는데요. 이후 KT가 이렇다할 해법을 내놓지 않고, 같은 일이 반복된다고 폭로하면서 논란이 커졌습니다.  

 

앞서 KT 측은 “해당 유튜버가 사무실을 옮기는 과정에서 고객 식별정보가 누락된 데 따른 일로 기술적 문제나 고의적인 속도 제한은 없었다”고 해명한 바 있습니다. 

 

유튜버 잇섭이 쏘아올린 인터넷 속도 제한 의혹과 관련 방송통신위원회가 적극 대응하겠다고 밝혔습니다. 방통위는 이번 사안이 고객 개인의 상황에 따른 문제인지, KT의 중대한 의도적 잘못이 있는지 파악할 계획입니다. 만약 KT 측에 잘못이 있다고 판단하면 제재 절차도 밟을 예정입니다. 

 

국회 과학기술정보방송통신위원회도 22일 전체회의에서 방통위와 과학기술정보통신부가 이번 사안에 대해 실태조사를 하도록 요구할 것으로 알려졌습니다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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