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SK하이닉스, ‘D램 불량’ 관련 온라인 게시물에 공식 수사의뢰

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Tuesday, June 08, 2021, 17:06:56

증권가 등에서 2조원 규모 손실 등 소문

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK하이닉스(대표이사 이석희·박정호)가 ‘D램 대규모 손실설’과 관련해 법적 대응에 나섰습니다. 

 

8일 SK하이닉은 D램 제품 불량 이슈와 관련해 ‘2조원 손실’ 등 허위 내용이 포함된 온라인 게시물에 대해 사법당국에 공식 수사의뢰를 했습니다. 

 

앞서 증권가 등에서는 SK하이닉스 반도체 제품에서 대규모 품질 이슈가 발생해 대규모 손실이 발생했다는 소문이 돌았습니다. 중국 고객사향 D램 품질 불량으로 웨이퍼 기준 약 24만장이며, 이는 최대 2조원 규모의 손실로 측정됐다는 내용이 골자입니다. 

 

SK하이닉스 측은 이 글이 게시된 블라인드, 카카오톡 단체 채팅방 등 온라인 채널들을 근거로 수사해 줄 것을 요청하는 고소장을 이천경찰서 사이버수사팀에 제출했습니다. 고소장 내용에는 ‘허위사실 유포에 의한 명예훼손’과 ‘허위사실 유포로 인한 업무방해’가 포함됩니다.

 

회사는 “이번 수사 의뢰를 기점으로 회사 정보를 사실과 다르게, 때로는 악의적으로 작성한 게시물을 무분별하게 온라인 채널에 올리는 행위에 대해 경각심을 높이려고 한다”고 설명했습니다. 

 

SK하이닉스는 향후 유사한 사안이 발생할 경우 회사는 좌시하지 않고 수사 의뢰하고 작성자 또는 유포자가 확인될 때는 민사상 손해배상청구까지 포함하는 모든 법적인 조치를 강구할 계획입니다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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