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[코스피 마감] 사상 첫 3300선 돌파...美인프라 투자 소식에 외인·기관 동반 매수

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Friday, June 25, 2021, 16:06:52

 

인더뉴스 최연재 기자ㅣ미국의 인프라 투자 협의 소식과 경기 회복에 대한 자신감으로 코스피가 사상 최고치인 3300선을 돌파하며 역사를 새로 썼다. 25일도 전날 강세를 보였던 금융주를 중심으로 상승이 두드러졌고, 또 반도체·전기차·자동차 관련주도 여전히 양호한 모습을 보였다. 

 

이날 코스피지수는 전 거래일 대비 0.51% 오른 3302.84로 상승 마감하며 이제는 3400선을 바라보고 있다. 지수는 전날보다 0.09% 오른 3289.18에서 출발한 뒤 장 초반 바로 3300선을 넘어섰다. 이틀 연속 사상 최고치를 찍으며 장중 고점(3316.08)을 기록했다. 

 

외국인과 기관은 2494억원, 5895억원을 각각 순매수하며 모처럼 지수 상승을 이끄는 모습이었다. 반면 개인은 지수가 3300선을 돌파하자 차익 실현을 위해 8203억원을 순매도했다. 

 

서상영 미래에셋증권 연구원은 “아시아 시장 자체가 위험자산 선호 심리가 높아지면서, 달러 약세로 외국인의 현·선물 매수가 유입돼 지수가 상승했다”고 설명했다. 이어 그는 “국내 증시는 외국인에 의해 올랐다”고 보면 된다며 “필라델피아 반도체 지수가 약 1.8% 오르면서 반도체·전기차·자동차 등 관련 기업이 강세를 보여 지수가 영향을 받았다”고 분석했다.


또 지수는 24일(현지시간) 조 바이든 미 대통령과 상원의원들이 인프라 투자 계획에 대해 합의했다는 소식에 장 초반부터 더 힘을 받았다.

 

이경민 대신증권 연구원은 “조기 금리 인상과 관련한 불확실성이 완화되고, 바이든 대통령과 상원 및 초당파 의원간 인프라 투자 잠정 합의에 위험 자산 선호 심리 강화했다”고 설명했다.

 

코스피 시가총액 상위 10개 종목 중 삼성바이오로직스(-0.70%), 삼성SDI(-0.29%) 등도 하락했고, 네이버(-2.26%), 카카오(-1.59%)도 어제에 이어 이틀 연속 하락했다. 반면 SK하이닉스(1.98%), LG화학(0.84%), 삼성전자우(0.67%), 삼성전자(0.49%), 현대차(0.21%), 기아(0.11%) 등은 세계 주요 증시가 상승한 데 힘입어 관련주로 덩달아 올랐다.   

 

하락한 업종은 서비스업(-1.18%), 의약품(-0.9%), 섬유의복(-0.33%), 의료정밀(-0.3%) 등이다. 상승한 업종은 보험(3.3%), 운수창고(2.65%), 금융업(1.88%), 증권(1.68%), 건설업(1.44%) 등이다. 코로나19 백신접종 가속화, 소비 심리 개선에 이마트(5.1%), 현대백화점(3.72%) 등 유통업(1.70%)도 강세였다. 

 

유가증권시장 거래량은 11억8395만주, 거래대금은 18조4016억원이었다.

 

한편 코스닥지수는 0.05% 내린 1012.13에 마쳤다.

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최연재 기자 stock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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