검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Major Company 대기업

GS건설, 23일 ‘평택지제역자이’ 사이버 견본주택 열고 분양 나선다

URL복사

Thursday, July 22, 2021, 15:07:36

지하2층~지상27층 10개 동·전용 59~113㎡ 총 1052세대 규모

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣGS건설(대표 허창수·임병용)은 오는 23일 경기도 평택시 영신도시개발지구 A3블록에 들어서는 ‘평택지제역자이’ 사이버 견본주택을 열고 분양에 나선다고 22일 밝혔습니다.

 

평택지제역자이는 지하 2층~지상 27층 10개동 전용면적 59~113㎡ 총 1052세대입니다. 전용면적별로는 ▲59㎡A 108세대 ▲59㎡B 106세대 ▲74㎡A 106세대 ▲74㎡B 104세대 ▲84㎡A 260세대 ▲84㎡B 260세대 ▲97㎡A 52세대 ▲97㎡B 51세대 ▲99㎡P 3세대 ▲113㎡P 2세대로 구성됩니다.

 

청약일정은 다음달 3일 특별공급을 시작으로 4일 해당지역 1순위, 5일 기타지역 1순위 청약 접수를 받습니다. 당첨자 발표는 8월 12일이며, 정당계약은 8월 23일부터 29일까지 7일간 진행됩니다.

 

평택지제역자이 견본주택은 신종코로나바이러스감염증(코로나19) 방역 지침을 준수하기 위해 사이버로만 운영됩니다. 사이버 견본주택은 평택지제역자이 홈페이지를 통해 운영 중이며 평면 및 인테리어 등 분양 정보를 확인할 수 있습니다.

 

평택지제역자이는 도보권에 SRT와 1호선 환승역인 평택지제역이 있어 SRT를 통해 동탄신도시까지 9분, 수서역까지 21분이면 이동이 가능합니다. 또한, 평택지제역을 출발해 강남역까지 가는 M버스(5438번)도 운행 중에 있어 대중교통을 이용한 강남접근성이 좋습니다.

 

또한 평택~제천간 고속도로, 평택~화성간 고속도로, 서해안고속도로, 경부고속도로 등의 광역도로망과 1번국도(경기대로), 45번국도(남북대로), 동삭로 등이 인접해 있습니다.

 

도보권에 초·중·고등학교(예정) 부지가 있어 통학이 가능하고 대형유통시설인 이마트(평택점)도 있습니다. 평택지제역자이 앞으로 지제역~안성IC까지 운행하는 BRT노선이 예정돼 있어 스타필드 안성까지 편리한 이동도 가능해질 것으로 보입니다. 또한 단지 서측 맞은편으로는 4만4000㎡ 규모의 근린공원도 조성 예정에 있어 일부 세대에서는 공원 조망도 가능합니다.

 

GS건설 분양 관계자는 “우수한 교통망과 편리한 인프라를 갖춘 입지적 장점과 자이 브랜드 명성에 맞게 특화 설계와 우수한 커뮤니티 시설 등의 적용으로 입주민들의 만족도가 높을 것으로 예상한다”며 “수요자들의 많은 관심이 예상되는 만큼 우수한 상품을 선보이도록 준비했다”라고 말했습니다.

 

평택지제역자이 견본주택은 경기도 평택시 소사동 산9-13에 들어서며 입주는 2023년 6월 예정입니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너