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대우건설, 현대·GS와 이달 ‘평촌 엘프라우드’ 분양 나선다

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Thursday, August 05, 2021, 15:08:45

2739가구 랜드마크 대단지‥지하 4층~지상 29층·35개 동

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ대우건설(대표 김형·정항기)은 현대건설, GS건설과 함께 이달말, 경기도 안양시 동안구 비산동 일원에 ‘평촌 엘프라우드’를 분양한다고 5일 밝혔습니다.

 

비산초교 주변지구 재개발정비사업을 통해 들어서는 ‘평촌 엘프라우드’는 안양시 동안구 비산3동 281-1번지 일원에 지하 4층~지상 29층, 35개 동, 전용면적 22~110㎡, 총 2739가구 규모로 조성됩니다. 이 중 조합원·임대분을 제외한 689가구를 일반에 분양할 예정인데요. 타입별로는 ▲49㎡ 77가구 ▲59㎡ 612가구입니다.

 

‘평촌 엘프라우드’는 수요자가 개개인의 라이프 스타일에 따라 선택할 수 있도록 판상형과 타워형 평면을 조화롭게 구성했습니다. 타입별 남향 위주의 배치로 채광이 우수하며 일부 타입에는 팬트리, 드레스룸 등 다양한 수납공간이 제공됩니다.

 

입주민들을 위한 실용적이고 활용도 높은 다양한 커뮤니티 시설도 설계됩니다. 골프시설 등이 마련돼 멀리 나가지 않아도 단지 내에서 취미 활동을 즐길 수 있고 계절별로 필요한 물건을 보관할 수 있는 세대별 창고가 마련되며 1인 미디어 시대를 맞아 영상촬영 등의 편의를 제공하는 스튜디오와 공유오피스 등의 커뮤니티 시설도 들어섭니다.

 

‘평촌 엘프라우드’는 원도심 지역에 들어서는 재개발 단지로 주변 ‘매곡지구’, ‘뉴타운 삼호아파트 재건축’ 등 주거 지역 대규모 개발이 예정돼 있습니다. 향후 평촌신도시와 더불어 안양시 대표 주거 밀집 지역이 될 것으로 기대를 모으고 있다고 회사는 설명했습니다.

 

아울러 단지 바로 앞에 비산초가 위치한 ‘초품아’ 입지로 자녀의 안전한 등하교가 보장되며 반경 1㎞ 이내에 회성초, 비산중, 경기게임마이스터고 등도 위치합니다.

 

‘평촌 엘프라우드’가 들어서는 비산동은 편리한 교통 또한 장점입니다. 인근에 관악대로, 경수대로 등이 위치하며 경수대로를 통한 제2경인고속도로 석수IC 진입이 수월합니다. 이를 통해 서울과 수도권 전역으로의 접근성이 뛰어납니다. 특히 단지 인근에 오는 2026년 월곶~판교 복선전철 안양종합운동장역(가칭) 개통이 예정돼 있는 만큼 향후 서울 및 수도권 주요 지역 접근성은 물론 안양 내 이동성도 더욱 개선될 전망입니다.

 

분양 관계자는 “안양시는 노후주택 비율이 높은 지역으로 새 아파트에 대한 수요가 높은 상황”이라며 “평촌 엘프라우드는 안양 비산동의 뛰어난 생활여건을 갖춘 입지에 주변 재개발·재건축, 월곶~판교 복선전철 개발 등 지역 부동산 가치를 높이는 대형 호재도 이어지고 있어 그 수혜를 누릴 것으로 예상된다”라고 말했습니다.

 

평촌 엘프라우드의 견본주택은 경기 안양시 동안구 비산동에 마련될 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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