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국내 반도체 산업 성과 알린다…‘제 14회 반도체의 날 기념식‘

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Monday, November 22, 2021, 16:11:51

유공자 포상, 역대 최다 52명 수상
'K-반도체 벨트 구축' 위해 민관 협력 필요

 

인더뉴스 이수민 기자ㅣ국가 주력산업인 반도체 산업의 성과와 위상을 알리고 반도체 산·학·연의 노고를 격려하는 '제14회 반도체의 날' 기념식이 22일 오전 서울 코엑스에서 열렸습니다.

 

반도체의 날은 우리나라 반도체 수출이 최초로 연 100억달러를 돌파한 1994년 10월을 기념해 제정됐으며, 2008년부터 매년 10월마다 열렸으나 올해는 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 사태 여파로 한 달여 늦게 개최됐습니다.

 

문승욱 산업부 장관은 축사에서 “코로나19에 따른 공급망 불안 등에도 우리 경제의 든든한 버팀목 역할을 하는 반도체 업계의 노고에 감사를 표한다”며 “글로벌 공급망 재편 움직임에 대응해 민관의 유기적인 협력이 필요하다”고 강조했습니다.

 

문 장관은 또한 정부의 반도체 산업 육성 종합 전략에 따른 'K-반도체 벨트 구축'이 빠르게 실현되고 있다면서 향후 민간 투자를 뒷받침해 세계 최고의 반도체 공급망을 구축하겠다는 방침을 재확인했습니다.

 

문장관은 민관 공동투자를 토대로 3500명의 석·박사급 인력양성사업을 추진, 1200명 규모의 반도체 전공 트랙을 신설하는 등의 전문인력 양성에도 매진하겠다고도 말했습니다.

 

또 내달 '한-미 반도체 파트너십 대화'를 열어 양국이 실질적인 반도체 협력 사업을 추진할 나갈 계획이라고 덧붙였습니다.

 

이날 행사에선 반도체 산업 발전에 기여한 유공자 포상도 이뤄졌습니다. 역대 최다인 52명이 상을 받았으며 정부가 지난 5월 발표한 'K-반도체 전략'에 따라 최고상도 '은탑'에서 '금탑'으로 격상됐습니다.

 

세계 최고 모바일·서버용 D램 개발 및 양산에 기여한 삼성전자[005930] 이정배 사장이 최고 영예인 금탑산업훈장을 받았습니다. 국내 최초 메모리 테스트 장비 국산화와 반도체 장비 수출을 이끈 와이아이케이[232140]의 최명배 대표가 은탑산업훈장을 받았습니다.

 

산업포장은 원익아이피에스 이현덕 대표, SK하이닉스[000660] 이성재 부사장, DB하이텍[000990] 이상기 부사장에게 수여됐습니다.

 

반도체산업협회는 유공자 포상에 이어 2030 비전과 전략에 관한 '협회 비전 선포식'과 함께 창립 30주년을 맞은 협회의 역사가 담긴 '한국반도체산업협회 30년사' 봉정식을 진행했습니다.

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이수민 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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