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금감원장 “저축은행 대출 컨소시엄 참여 규제 완화할 것”

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Wednesday, December 01, 2021, 14:12:21

정은보 금융감독원장, 1일 저축은행장들과 간담회
자산규모별 감독체계 차등화·서민경제 보호 방안 발표

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ“다른 업권과의 규제 형평성 등을 감안해 대출 컨소시엄 참여를 어렵게 하는 규제를 개선하겠다.”

 

1일 금융감독원에 따르면 정은보 원장은 이날 오전 11시 서울 중구 프레지던트호텔에서 저축은행장들과 간담회를 갖고 변화된 금융환경에 맞춘 저축은행 지원 계획을 알렸습니다.

 

저축은행의 경우 현재 프로젝트파이낸생(PF) 사업자금의 20% 이상을 자기자본으로 조달하는 경우에만 대출 컨소시엄 참여가 가능하지만, 타 업권은 별다른 규제가 없단 점을 지적한 것으로 관련 규제를 완화해주겠단 의미입니다.

 

정 원장은 “관계형 금융 활성화를 위해 인센티브를 부여해서 지역 저신용 유망 중소기업에 대한 자금공급 확대를 유도하겠다”며 “금융의 디지털 전환에 따라 저축은행중앙회의 금융플랫폼 구축을 지원해 소비자의 선택권을 확대하고 금융서비스 접근성도 제고하겠다”고 약속했습니다.

 

지원책과 함께 저축은행에 대한 사전적 감독의 중요성도 강조했습니다. 정 원장은 지난 2011년 발생한 저축은행 사태를 언급하며 “대규모 공적자금 투입과 예금자 피해가 발생해 국민경제에 큰 부담을 줬다”며 “당시 투입한 공적자금은 아직까지도 회수되지 않고 있다”고 말했습니다.

 

지난 2011년 2월 금융위원회는 자기자본비율 1% 미만인 7곳의 저축은행을 부실금융기관으로 지정하고 영업정지 처분을 내렸습니다. 이로 인해 5000만 원 이상 예금자와 후순위 채권 투자자들은 원금 손실을 입었습니다.

 

금감원에 따르면 올해 9월 말 기준 저축은행사태 당시 투입된 공적자금 27조 2000억 원 중 회수된 금액은 13조 4000억 원(49.3%)입니다.

 

정 원장은 사전적 감독의 일환으로 차등화된 감독체계를 언급했습니다. 그는 “리스크 취약부문에 선제적으로 대응하기 위해 위기상황분석을 강화하고 저축은행별 검사주기와 범위를 탄력적으로 운영하겠다”며 “자산규모에 맞게 차등화된 감독체계를 도입하겠다”고 설명했습니다.

 

금감원에 따르면 차등화된 감독이란 대형 저축은행에 대해 자본비율 선진화 등 건전성 규제를 단계적으로 고도화하겠다는 구상입니다.

 

정은보 원장은 “저축은행 부실화가 금융시스템 리스크로 전이되는 일이 다시는 있어서는 안된다”며 “다가올 50년은 저축은행이 지역서민금융기관으로 확고히 자리매김할 수 있기를 바란다”고 당부했습니다.

 

이날 정은보 금감원장은 서민경제 보호를 위한 방안도 발표했습니다. 정 원장은 “금리상승기에 대출금리가 높아지고 예대금리차도 확대될 수 있다는 점을 감안해야 한다”며 “금리산정체계를 점검하고 금리인하요구권도 활성화하겠다”고 말했습니다.

 

이어 그는 “서민·취약계층이 정상적으로 경제활동을 지속하도록 채무조정 확대도 유도하겠다”고 덧붙였습니다.

 

한편, 이날 간담회에는 ▲박재식 저축은행중앙회장 ▲임진구 SBI저축은행 대표 ▲허흥범 키움저축은행 대표 ▲오화경 하나저축은행 대표 ▲박찬종 인천저축은행 대표 ▲박기권 진주저축은행 대표 ▲양순종 스타저축은행 대표 등이 참석했습니다.

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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