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‘1주택자 양도세’ 비과세 기준 12억으로 완화…8일부터 적용

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Tuesday, December 07, 2021, 16:12:21

12억원 이하로 양도할 시 양도소득세 부담 없어
12억원 초과 주택은 기준 상향에 따라 부담 감소

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ오는 8일부터 1가구 1주택자 양도소득세 비과세 기준이 9억원에서 12억원으로 상향됩니다.

 

기획재정부는 7일 열린 제53차 국무회의에서 소득세법 및 부가가치세법 일부개정법률 공포안을 의결했다고 밝혔습니다.

 

정부 의결에 따라 공포일은 오는 8일로 확정됐습니다. 국회 기재위가 법 개정안 시행 시기를 공포일로 수정함에 따라 오는 8일 바로 개정 소득세법이 시행됩니다. 양도 기준일은 잔금청산일과 등기이전일 중 빠른 날로 하게 됩니다.

 

정부는 세법개정 후속 시행령 개정 시 12억원을 초과하는 주택에 대한 양도차익 등 계산방법을 개정법률에 맞춰 개정할 예정입니다. 시행령 개정규정의 적용시기도 개정법률 시행시기와 동일하게 법률 공포일인 오는 8일 이후 양도하는 분부터 적용할 예정입니다.

 

바뀌는 양도소득세 비과세 기준을 이해하기 쉽게 일문일답 형식으로 정리했습니다.

 

 

Q. 8일부터 12억원 이하로 집을 매도하게 될 경우 양도세를 내지 않아도 되나요?

 

A. 앞으로 1가구 1주택자는 오는 8일부터 12억 원 이하의 양도가로 주택을 팔 경우 양도소득세 적용 대상에서 제외됩니다. 개정 전 양도소득세법을 적용해 본다면 3년 전 조정대상지역에 9억 원에 집을 산 1주택자가 2년 거주한 뒤 12억원에 집을 팔 경우 943만 8000원의 세금이 부과됩니다. 하지만 개정법 시행일인 8일 이후 집을 팔 경우 양도소득세를 내지 않아도 됩니다.

 

Q. 아파트 가격이 12억원이 넘을 경우 기존 양도세액과 차이가 있을까요?  

 

A. 12억원을 초과하는 주택을 파는 1주택자의 경우도 비과세 기준이 상향됨에 따라 부담하는 양도소득세가 줄어드는 효과를 보게 됩니다. 가격이 12억원을 초과하는 주택은 과세 대상 양도 차익에서 기본공제, 장기보유특별공제를 뺀 뒤 과세표준을 산출한 후 이를 6∼45%의 세율로 곱해 양도소득세를 결정하게 됩니다.

 

Q. 3년 전 9억원에 집을 산 1주택자입니다. 현재 가격이 20억원일 경우 양도세는 얼마인지 궁금합니다.

 

A. 1주택자가 3년 전 조정대상지역에서 취득가격 9억원에 산 집을 2년 거주 후 20억원에 판다고 가정하겠습니다. 개정 전 기존 양도세법을 적용할 경우 양도소득세 1억 8392만원이 부과됩니다. 그러나 개정 세법이 시행되면 기존에 내야 하는 세액보다 줄은 1억 2584만원을 부과하게 됩니다. 약 5800만원의 절감 효과가 있는 셈입니다. 

 

Q. 12년 전 9억원에 집을 산 후 현재 20억원이 나가는 주택에 10년 이상 거주중인 1주택자는요?

 

A. 10년 이상을 거주하셨으니 장기특별보유공제 80%가 적용되겠네요. 이러할 경우, 기존 양도세법을 적용한다고 칠 경우 2923만 원의 양도소득세가 부과됩니다. 그러나 상향된 비과세 기준을 적용할 경우 1683만원의 양도소득세 부과로 약 1240만 원의 부담을 줄일 수 있습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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