검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Estate 건설/부동산

김포공항 일대, ‘서울 서남권 허브’로 탈바꿈한다

URL복사

Thursday, December 16, 2021, 14:12:09

국토교통부, 3차 신규 도시재생 뉴딜사업지 32곳 지정
김포공항 일대 혁신사업 지정..사업비 2조 9640억원 투입

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ서울 강서 김포공항 일대가 도시재생혁신지구로 선정됐습니다. 정부는 이 일대에 미래 교통 중심시설과 혁신산업시설 등의 구축을 바탕으로 ‘서울 서남권 지역허브’로 조성할 계획입니다.

 

국토교통부는 16일 제29차 도시재생특별위원회를 개최하고 3차 신규 도시재생 뉴딜사업지로 서울 강서 김포공항, 경기 안산·안양3동 등 32곳을 선정했다고 밝혔습니다.

 

국토부에 따르면, 오는 2028년까지 국비 3000억 원, 민간자본 3조 3600억원 등 총 5조 2000억원을 투입합니다. 이를 통해 신규주택 약 2500호와 창업지원시설 22개, 생활SOC시설 58개 등을 공급해 주거환경 개선과 4만 4000개의 일자리 창출을 모색합니다.

 

32곳의 사업 유형을 살펴 보면 지역거점을 조성하는 혁신지구 사업지 3곳, 공기업이 시행하는 총괄사업관리자 사업지 10곳, 소규모 점단위 사업인 인정사업지 19곳입니다.

 

신규 혁신지구 3곳 가운데 사업비 2조 9640억원으로 가장 큰 규모인 김포공항 도시재생혁신지구 사업은 한국공항공사 주도 특수목적법인(SPC)을 통해 진행됩니다. 국토부는 오는 2027년까지 부지 35만4567㎡에 공항과 주변지역이 상생하는 서울 서남권 신 지역거점을 조성한다는 계획입니다.

 

 

해당 사업지에는 도시철도·간선급행버스(S-BRT)·도심항공교통(UAM) 이착륙장 등이 연계된 미래형 교통 허브시설과 항공 관련 업무·교육시설이 구축됩니다. 또, 모빌리티 혁신산업클러스터를 비롯해 생활SOC도 확충됩니다.

 

김포공항과 함께 혁신지구로 선정된 경기 안산은 사업비 4090억 원이 투입됩니다. 국토부는 오는 2027년까지 안산 농어촌공사 유휴부지에 R&D 첨단혁신 성장센터, 미래차 전환거점센터, 일자리연계형 지원주택 등을 통해 경기남부 혁신거점으로 조성할 예정입니다.

 

주거재생혁신지구로 선정된 경기 안양3동은 오는 2027년까지 사업비 2618억 원을 바탕으로 분양주택 316가구와 공공임대 94가구로 이뤄진 총 410가구의 아파트 단지를 조성할 예정입니다. 주택 시공에는 지역 주민들이 희망하는 민간 건설사가 나서게 됩니다.

 

 

안양3동은 10년 전인 지난 2011년 재정비촉진지구에서 해제돼 인구감소와 지역 슬럼화가 지속되는 문제로 인해 도시재생 필요성이 강조돼 온 지역입니다. 이번 뉴딜사업 대상지역으로 선정됨에 따라 도시 미관 개선은 물론 지역 가치 상승을 바라볼 수 있게 됐습니다.

 

김규철 국토교통부 도시재생사업기획단장은 “김포공항 혁신지구와 같이 경제적 파급력이 큰 사업부터 마을단위의 재생사업까지 도시쇠퇴에 대응하는 다양한 뉴딜사업을 추진하고 있다”고 말했습니다.
 
그러면서 “내년부터는 체감형 성과를 본격화하도록 100곳 이상의 뉴딜사업을 완료하는 등 사업 속도에 박차를 가할 계획”이라며 “새로 도입한 주거재생혁신지구 등 사업도 정상 궤도에 안착하도록 만전을 기하겠다”고 덧붙였습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너